恭喜中南大學鄭煜獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中南大學申請的專利一種鈮酸鋰光波導制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115993682B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211652496.1，技術領域涉及：G02B6/136；該發明授權一種鈮酸鋰光波導制造方法是由鄭煜;唐昕;段吉安設計研發完成，并于2022-12-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種鈮酸鋰光波導制造方法在說明書摘要公布了：本發明涉及光通信技術領域，具體公開了一種鈮酸鋰光波導制造方法，包括以下步驟：S1：準備鈮酸鋰晶圓，制備各掩模層并涂覆光刻膠；S2：通過光刻工藝將掩模層上的光波導圖形轉移至光刻膠上；S3：干法刻蝕氧化層并進行刻蝕截止檢測、去除光刻膠；S4：用濕法刻蝕清洗并去除多余的多晶硅；S5：用濕法和干法結合刻蝕芯層鈮酸鋰，獲得鈮酸鋰光波導；S6：去掉鈮酸鋰光波導上的掩模層、多晶硅層、并高溫回流處理后并沉積上包層，該方法結合了干法刻蝕和濕法刻蝕，可獲得較高的刻蝕速率。
本發明授權一種鈮酸鋰光波導制造方法在權利要求書中公布了：1.一種鈮酸鋰光波導制造方法，其特征在于：包括以下步驟：S1：準備鈮酸鋰晶圓，制備各掩模層并涂覆光刻膠；鈮酸鋰晶圓包括襯底硅、下包層二氧化硅和芯層鈮酸鋰，襯底硅、下包層二氧化硅和芯層鈮酸鋰從下往上依次排列，在鈮酸鋰晶圓上表面制備掩模層，所述掩模層從下往上依次包括多晶硅層、氧化層、抗反射涂層和光刻膠；S2：通過光刻工藝將掩模層上的光波導圖形轉移至光刻膠上；S3：干法刻蝕氧化層并進行刻蝕截止檢測、去除光刻膠；在步驟S3中，用氟基氣體的干法刻蝕對氧化層進行刻蝕，并在刻蝕到多晶硅層時由刻蝕設備的檢測單元進行刻蝕截止檢測，有效防止氧化物掩模層受到鉆蝕，去除光刻膠層和抗反射涂層，得到氧化層；S4：用濕法刻蝕清洗并去除多余的多晶硅；S5：用濕法和干法結合刻蝕芯層鈮酸鋰，獲得鈮酸鋰光波導；S6：去掉鈮酸鋰光波導上的掩模層、多晶硅層、并高溫回流處理后并沉積上包層。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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