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龍圖騰網恭喜上海華虹宏力半導體制造有限公司;華虹半導體(無錫)有限公司申請的專利閃存浮柵的制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116322052B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310476323.7，技術領域涉及：H10B41/30；該發明授權閃存浮柵的制作方法是由高毅;左睿昊;馬開陽;周婧涵設計研發完成，并于2023-04-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本閃存浮柵的制作方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種閃存浮柵的制作方法，包括：提供一具有存儲區和外圍區的襯底，刻蝕部分厚度的襯底形成溝槽并定義出有源區，有源區位于溝槽兩側的襯底中；采用HARP工藝形成隔離介質，隔離介質填充溝槽且包括高出襯底的隔離凸起部；形成浮柵層，在存儲區浮柵層覆蓋襯底和隔離凸起部的上表面和側面，浮柵層還覆蓋位于外圍區的襯底；形成保護層，保護層填充浮柵層的位于有源區的凹陷區域；以保護層為掩膜，刻蝕去除在存儲區內浮柵層覆蓋隔離凸起部的部分，并去除浮柵層位于外圍區的部分；去除保護層，剩余的浮柵層構成浮柵。本發明實現了浮柵層在有源區后形成，形成STI結構中的隔離介質采用HARP工藝，保證了與邏輯工藝較好地兼容。

本發明授權閃存浮柵的制作方法在權利要求書中公布了：1.一種閃存浮柵的制作方法，其特征在于，包括：提供一具有存儲區和外圍區的襯底，刻蝕部分厚度的所述襯底形成溝槽并定義出有源區，所述有源區位于所述溝槽兩側的所述襯底中；采用HARP工藝形成隔離介質，所述隔離介質填充所述溝槽且包括高出所述襯底的隔離凸起部；形成浮柵層，在所述存儲區所述浮柵層覆蓋所述襯底和所述隔離凸起部的上表面和側面，所述浮柵層還覆蓋位于所述外圍區的襯底；形成保護層，所述保護層填充所述浮柵層的位于所述有源區的凹陷區域；以所述保護層為掩膜，刻蝕去除在所述存儲區內所述浮柵層覆蓋所述隔離凸起部的部分，并去除所述浮柵層位于所述外圍區的部分；去除所述保護層，剩余的所述浮柵層構成浮柵。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華虹宏力半導體制造有限公司;華虹半導體(無錫)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區祖沖之路1399號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。