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恭喜贛州市同興達(dá)電子科技有限公司成浩明獲國(guó)家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)恭喜贛州市同興達(dá)電子科技有限公司申請(qǐng)的專利便于破真空的TFT研磨清洗平臺(tái)獲國(guó)家實(shí)用新型專利權(quán),本實(shí)用新型專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN222755162U

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的實(shí)用新型授權(quán)公告中獲悉:該實(shí)用新型的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202420600452.2,技術(shù)領(lǐng)域涉及:B24B37/00;該實(shí)用新型便于破真空的TFT研磨清洗平臺(tái)是由成浩明;姚燦堅(jiān);安明靜;劉衛(wèi);湯明建;李建;付兵;鐘建;王志鋼設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2024-03-26向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

便于破真空的TFT研磨清洗平臺(tái)在說(shuō)明書摘要公布了:本實(shí)用新型涉及放置平臺(tái)技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及便于破真空的TFT研磨清洗平臺(tái),包括平臺(tái)主體,所述平臺(tái)主體的上表面設(shè)置有真空吸附區(qū)和專用破真空區(qū),所述真空吸附區(qū)在研磨時(shí)真空吸附產(chǎn)品,完成動(dòng)作在放片時(shí)轉(zhuǎn)成破真空,所述專用破真空區(qū)在完成動(dòng)作在放片時(shí)破真空,真空吸附區(qū)和專用破真空區(qū)在破真空時(shí)同步進(jìn)行。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的便于破真空的TFT研磨清洗平臺(tái)在產(chǎn)品放片時(shí)受力均勻,避免破片,可有效解決產(chǎn)品無(wú)真空部分與平臺(tái)過(guò)緊粘附導(dǎo)致玻璃掉不下來(lái)的情況。

本實(shí)用新型便于破真空的TFT研磨清洗平臺(tái)在權(quán)利要求書中公布了:1.便于破真空的TFT研磨清洗平臺(tái),其特征在于,包括平臺(tái)主體,所述平臺(tái)主體的上表面設(shè)置有真空吸附區(qū)和專用破真空區(qū);所述真空吸附區(qū)包括一個(gè)第一真空吸附槽,所述第一真空吸附槽的兩側(cè)分別設(shè)置有第二真空吸附槽,所述第一真空吸附槽的上方設(shè)置有一個(gè)第三真空吸附槽,所述第三真空吸附槽的兩側(cè)分別設(shè)置有第四真空吸附槽,所述第三真空吸附槽的上方設(shè)置有一個(gè)第五真空吸附槽,所述第五真空吸附槽的上方設(shè)置有一個(gè)第六真空吸附槽,所述第六真空吸附槽的上方設(shè)置有一個(gè)第七真空吸附槽,所述第七真空吸附槽的上方設(shè)置有一個(gè)第八真空吸附槽,所述第五真空吸附槽、第六真空吸附槽和第七真空吸附槽的兩側(cè)分別設(shè)置有第九真空吸附槽;所述專用破真空區(qū)包括兩個(gè)第一專用破真空槽、兩個(gè)第二專用破真空槽、一個(gè)第三專用破真空槽、一個(gè)第四專用破真空槽和一個(gè)第五專用破真空槽,所述兩個(gè)第一專用破真空槽分別設(shè)置于兩個(gè)第九真空吸附槽的外側(cè),所述兩個(gè)第二專用破真空槽分別設(shè)置于第五真空吸附槽的兩側(cè),所述第三專用破真空槽位于第六真空吸附槽和第七真空吸附槽之間,所述第四專用破真空槽位于第七真空吸附槽和第八真空吸附槽之間,所述第五專用破真空槽位于第八真空吸附槽的上方。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人贛州市同興達(dá)電子科技有限公司,其通訊地址為:341001 江西省贛州市贛州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)緯一路168號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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