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龍圖騰網恭喜中環領先半導體科技股份有限公司申請的專利一種硅片及其加工方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118610088B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410651369.2，技術領域涉及：H01L21/324；該發明授權一種硅片及其加工方法是由徐平;曹錦偉;謝江華;林濤設計研發完成，并于2024-05-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種硅片及其加工方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種硅片及其加工方法。硅片加工方法，用于加工待處理的硅片，包括：對硅片進行減薄處理；將減薄處理后的硅片進行退火處理；將經過退火處理后的硅片進行邊拋處理，退火時間t0，退火溫度T0，滿足：3.6℃minT0t05.6℃min。由于在CZ硅晶體從生長到冷卻至室溫的過程中，由于生長區溫度高于成核區，生成的原生氧沉淀的量很少，絕大部分氧以間隙態存在。而在器件制備過程中，硅片會在各種不同的溫度區間經歷不同的時間，晶體中的間隙氧逐漸達到平衡狀態,過飽和的間隙氧原子聚集形成氧沉淀。本申請提供的硅片的加工方法，通過將減薄處理后的硅片進行退火處理，可以提高硅片中體微缺陷的密度。

本發明授權一種硅片及其加工方法在權利要求書中公布了：1.一種硅片的加工方法，其特征在于，用于加工待處理的硅片，所述加工方法包括：對所述硅片進行減薄處理；對減薄處理后的所述硅片進行減薄后清洗，將清洗后的所述硅片放置在退火爐中，使所述退火爐由第一溫度T1升溫至退火溫度T0；所述第一溫度T1的范圍為600~620℃；所述升溫的時間為3~8min；將減薄處理后的所述硅片進行退火處理；將退火爐由所述退火溫度T0降溫至第二溫度T2；所述第二溫度T2的范圍為600~620℃；所述降溫的時間為3~8min；將經過退火處理后的所述硅片進行邊拋處理；所述退火處理具有退火時間t0，所述退火處理具有退火溫度T0，滿足：3.6℃minT0t05.6℃min；其中，所述退火時間t0的范圍為120~180min；所述退火溫度T0的范圍為655~665℃，以提高所述硅片的體微缺陷的密度；所述硅片的體微缺陷的密度范圍為4E9~1E10eacm3。

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