買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜長飛先進半導體(武漢)有限公司申請的專利雙柵半導體器件、制備方法、功率模塊、轉換電路和車輛獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118888591B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410965820.8，技術領域涉及：H10D30/63；該發明授權雙柵半導體器件、制備方法、功率模塊、轉換電路和車輛是由彭安賢設計研發完成，并于2024-07-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本雙柵半導體器件、制備方法、功率模塊、轉換電路和車輛在說明書摘要公布了：本發明公開了一種雙柵半導體器件、制備方法、功率模塊、轉換電路和車輛，雙柵半導體器件包括：襯底；半導體外延層，位于襯底的一側；第一柵極溝槽和第一柵極結構；第一柵極溝槽位于半導體外延層遠離襯底一側的表面，第一柵極結構位于第一柵極溝槽中；第二柵極溝槽和第二柵極結構；第二柵極溝槽位于第一柵極溝槽靠近襯底的一側，第二柵極結構位于第二柵極溝槽中；第一電極，位于襯底遠離半導體外延層的一側；第二電極，位于半導體外延層遠離襯底一側的表面；其中，第一柵極結構和第二柵極結構同步輸入柵極電壓。本發明實施例提供的技術方案，降低了導通電阻的同時，提高了器件的擊穿電壓。

本發明授權雙柵半導體器件、制備方法、功率模塊、轉換電路和車輛在權利要求書中公布了：1.一種雙柵半導體器件，其特征在于，包括：襯底；半導體外延層，位于所述襯底的一側；第一柵極溝槽和第一柵極結構；所述第一柵極溝槽位于所述半導體外延層遠離所述襯底一側的表面，所述第一柵極結構位于所述第一柵極溝槽中；第二柵極溝槽和第二柵極結構；所述第二柵極溝槽位于所述第一柵極溝槽靠近所述襯底的一側，所述第二柵極結構位于所述第二柵極溝槽中；第一電極，位于所述襯底遠離所述半導體外延層的一側；第二電極，位于所述半導體外延層遠離所述襯底一側的表面；其中，所述第一柵極結構和所述第二柵極結構同步輸入柵極電壓；所述半導體外延層包括依次遠離所述襯底的漂移區、體區以及與所述第二電極接觸的接觸區；所述第二柵極結構由所述體區沿著垂直于所述襯底的方向延伸至所述漂移區中；所述第一柵極結構由所述接觸區遠離所述襯底一側的表面，沿著垂直于所述襯底的方向延伸至所述體區中。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長飛先進半導體(武漢)有限公司，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區高新大道999號武漢未來科技城龍山創新園一期B4棟18樓546室(自貿區武漢片區)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。