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恭喜中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;中科鎵(深圳)半導(dǎo)體科技有限公司楊少延獲國家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)恭喜中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;中科鎵(深圳)半導(dǎo)體科技有限公司申請的專利氮化鎵單晶片制備過程應(yīng)力調(diào)控結(jié)構(gòu)、制備方法和應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN118792738B

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202411114493.1,技術(shù)領(lǐng)域涉及:C30B29/38;該發(fā)明授權(quán)氮化鎵單晶片制備過程應(yīng)力調(diào)控結(jié)構(gòu)、制備方法和應(yīng)用是由楊少延;李成明;陳慶慶;劉祥林;楊瑞;王奕程;張文冠;胡阿龍設(shè)計研發(fā)完成,并于2024-08-14向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

氮化鎵單晶片制備過程應(yīng)力調(diào)控結(jié)構(gòu)、制備方法和應(yīng)用在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供了氮化鎵單晶片制備過程應(yīng)力調(diào)控結(jié)構(gòu),可應(yīng)用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括:藍(lán)寶石單晶襯底;第一目標(biāo)氮化鋁單晶薄膜模板層,位于襯底上;多孔氮化鋁應(yīng)力協(xié)變區(qū),位于第一目標(biāo)氮化鋁單晶薄膜模板層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè);第二目標(biāo)氮化鋁單晶薄膜模板層,位于多孔氮化鋁應(yīng)力協(xié)變區(qū)遠(yuǎn)離襯底的一側(cè);以及氮化鎵單晶薄膜模板層,位于第二目標(biāo)氮化鋁單晶薄膜模板層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè),其中,多孔氮化鋁應(yīng)力協(xié)變區(qū)包括第一多孔氮化鋁應(yīng)力協(xié)變層、第二多孔氮化鋁應(yīng)力協(xié)變層、第三多孔氮化鋁應(yīng)力協(xié)變層、第四多孔氮化鋁應(yīng)力協(xié)變層和第五多孔氮化鋁應(yīng)力協(xié)變層且各協(xié)變層的鈉米孔隙度不完全相同。本發(fā)明的實施例還提供了一種氮化鎵單晶片的制備方法及其應(yīng)用。

本發(fā)明授權(quán)氮化鎵單晶片制備過程應(yīng)力調(diào)控結(jié)構(gòu)、制備方法和應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了:1.一種氮化鎵單晶片制備過程應(yīng)力調(diào)控結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:藍(lán)寶石單晶襯底;第一目標(biāo)氮化鋁單晶薄膜模板層,位于所述藍(lán)寶石單晶襯底上;多孔氮化鋁應(yīng)力協(xié)變區(qū),位于所述第一目標(biāo)氮化鋁單晶薄膜模板層遠(yuǎn)離所述藍(lán)寶石單晶襯底的一側(cè);第二目標(biāo)氮化鋁單晶薄膜模板層,位于所述多孔氮化鋁應(yīng)力協(xié)變區(qū)遠(yuǎn)離所述藍(lán)寶石單晶襯底的一側(cè);以及氮化鎵單晶薄膜模板層,位于所述第二目標(biāo)氮化鋁單晶薄膜模板層遠(yuǎn)離所述藍(lán)寶石單晶襯底的一側(cè),其中,所述多孔氮化鋁應(yīng)力協(xié)變區(qū)包括依次設(shè)置的第一多孔氮化鋁應(yīng)力協(xié)變層、第二多孔氮化鋁應(yīng)力協(xié)變層、第三多孔氮化鋁應(yīng)力協(xié)變層、第四多孔氮化鋁應(yīng)力協(xié)變層和第五多孔氮化鋁應(yīng)力協(xié)變層且各多孔氮化鋁應(yīng)力協(xié)變層的納米孔隙度不完全相同,所述第一多孔氮化鋁應(yīng)力協(xié)變層的納米孔隙度為10%-30%;所述第二多孔氮化鋁應(yīng)力協(xié)變層的納米孔隙度為30%-50%;所述第三多孔氮化鋁應(yīng)力協(xié)變層的納米孔隙度為50%-70%;所述第四多孔氮化鋁應(yīng)力協(xié)變層的納米孔隙度為30%-50%;以及所述第五多孔氮化鋁應(yīng)力協(xié)變層的納米孔隙度為10%-30%。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;中科鎵(深圳)半導(dǎo)體科技有限公司,其通訊地址為:100083 北京市海淀區(qū)清華東路甲35號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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