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龍圖騰網恭喜北京大學申請的專利一種半導體材料中施主束縛激子雙電子躍遷速率的測量方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119290825B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411833261.1，技術領域涉及：G01N21/63；該發明授權一種半導體材料中施主束縛激子雙電子躍遷速率的測量方法是由唐寧;李國平;沈波;付雷;陳帥宇;張邇翡設計研發完成，并于2024-12-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體材料中施主束縛激子雙電子躍遷速率的測量方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體材料中施主束縛激子雙電子躍遷速率的測量方法，屬于半導體材料的測量表征領域。該測量方法包括：1、由穩態光致發光光譜測量各溫度下半導體材料中施主束縛激子峰的峰強和對應雙電子躍遷峰的峰強；2、由時間分辨光致發光光譜測量各溫度下施主束縛激子峰的壽命；3、由推得施主束縛激子峰的量子效率，結合推得施主束縛激子的輻射復合壽命；4、由雙電子躍遷峰和施主束縛激子峰的相對強度除以施主束縛激子輻射復合壽命,得各溫度下施主束縛激子的雙電子躍遷速率。本發明解決了雙電子躍遷速率難以測量的問題，能夠快速準確獲得雙電子躍遷速率隨溫度的變化規律，對研究施主束縛激子及其雙電子躍遷物理性質具有重要價值。

本發明授權一種半導體材料中施主束縛激子雙電子躍遷速率的測量方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體材料中施主束縛激子雙電子躍遷速率的測量方法，其特征在于，包括以下步驟：步驟一：利用變溫穩態光致發光光譜測量半導體材料在不同溫度下的穩態光致發光光譜曲線，并提取各溫度下施主束縛激子峰的積分強度以及該施主束縛激子對應的雙電子躍遷峰的積分強度；步驟二：利用變溫時間分辨光致發光光譜測量半導體材料在不同溫度下施主束縛激子峰峰位處的單色衰減曲線，并提取各溫度下施主束縛激子峰的壽命；步驟三：由步驟一獲得的施主束縛激子峰的積分強度推得施主束縛激子峰的量子效率，再由施主束縛激子峰的量子效率和步驟二獲得的施主束縛激子峰壽命推得各溫度下施主束縛激子的輻射復合壽命；步驟四：由步驟一獲得的各溫度下施主束縛激子峰的積分強度、該施主束縛激子對應的雙電子躍遷峰的積分強度以及步驟三獲得的各溫度下施主束縛激子的輻射復合壽命,根據式9計算得到各溫度下施主束縛激子的雙電子躍遷速率： 9。

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