中國電子科技集團公司信息科學研究院;哈爾濱工業大學;中國電子科技集團公司第三十三研究所彭志龍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國電子科技集團公司信息科學研究院;哈爾濱工業大學;中國電子科技集團公司第三十三研究所申請的專利含能自毀芯片的制備方法、含能自毀芯片及應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119581419B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411856412.5，技術領域涉及：H01L23/00；該發明授權含能自毀芯片的制備方法、含能自毀芯片及應用是由彭志龍;嚴英占;徐遷;高源;賈璐;汪志強;許靜;楊麗君;王錚;曹伽牧設計研發完成，并于2024-12-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本含能自毀芯片的制備方法、含能自毀芯片及應用在說明書摘要公布了：本申請涉及技術領域，具體而言，涉及一種含能自毀芯片的制備方法、含能自毀芯片及應用。所述含能自毀芯片的制備方法，包括：提供基座和芯片本體，所述基座具有相對的第一表面和第二表面；在所述第一表面形成沉槽；在所述沉槽內形成第一含能材料層；在所述第二表面形成半導體橋，所述半導體橋的加熱部分與所述第一沉孔位置相對，所述半導體橋用于通電釋放熱量以引爆所述第一含能材料層；將所述第一表面與所述芯片本體貼合固定。根據上述方案制備的含能自毀芯片，可以改善現有含能自毀器件板級集成設計困難、激發引爆響應時間長和能耗高的問題。
本發明授權含能自毀芯片的制備方法、含能自毀芯片及應用在權利要求書中公布了：1.一種含能自毀芯片的制備方法，其特征在于，包括：提供基座和芯片本體，所述基座具有相對的第一表面和第二表面；在所述第一表面形成沉槽以及在所述沉槽的底面形成第一沉孔；在所述沉槽及所述第一沉孔內形成第一含能材料層；在所述第二表面形成半導體橋，所述半導體橋用于通電釋放熱量以引爆所述第一含能材料層；將所述第一表面與所述芯片本體貼合固定；所述在所述第二表面形成半導體橋，包括：將所述半導體橋的加熱部分形成在所述第二表面，所述半導體橋的加熱部分與所述第一沉孔位置相對；所述將所述半導體橋的加熱部分形成在所述第二表面，包括：在所述第二表面形成導電層；在所述導電層表面形成加熱電極，所述加熱電極與所述第一沉孔位置相對，且所述加熱電極的電阻大于所述導電層的電阻；所述在所述第二表面形成半導體橋之前，所述方法還包括：在所述第二表面刻蝕形成第二沉孔，所述第二沉孔和所述第一沉孔位置相對，所述第二沉孔用于形成所述半導體橋的加熱部分。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國電子科技集團公司信息科學研究院;哈爾濱工業大學;中國電子科技集團公司第三十三研究所，其通訊地址為：100041 北京市石景山區實興大街金府路30號院4號樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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