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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國電子科技集團(tuán)公司信息科學(xué)研究院;哈爾濱工業(yè)大學(xué);中國電子科技集團(tuán)公司第三十三研究所申請(qǐng)的專利含能自毀芯片的制備方法、含能自毀芯片及應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119581419B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202411856412.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/00；該發(fā)明授權(quán)含能自毀芯片的制備方法、含能自毀芯片及應(yīng)用是由彭志龍;嚴(yán)英占;徐遷;高源;賈璐;汪志強(qiáng);許靜;楊麗君;王錚;曹伽牧設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-12-17向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本含能自毀芯片的制備方法、含能自毀芯片及應(yīng)用在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)涉及技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種含能自毀芯片的制備方法、含能自毀芯片及應(yīng)用。所述含能自毀芯片的制備方法，包括：提供基座和芯片本體，所述基座具有相對(duì)的第一表面和第二表面；在所述第一表面形成沉槽；在所述沉槽內(nèi)形成第一含能材料層；在所述第二表面形成半導(dǎo)體橋，所述半導(dǎo)體橋的加熱部分與所述第一沉孔位置相對(duì)，所述半導(dǎo)體橋用于通電釋放熱量以引爆所述第一含能材料層；將所述第一表面與所述芯片本體貼合固定。根據(jù)上述方案制備的含能自毀芯片，可以改善現(xiàn)有含能自毀器件板級(jí)集成設(shè)計(jì)困難、激發(fā)引爆響應(yīng)時(shí)間長(zhǎng)和能耗高的問題。

本發(fā)明授權(quán)含能自毀芯片的制備方法、含能自毀芯片及應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種含能自毀芯片的制備方法，其特征在于，包括：提供基座和芯片本體，所述基座具有相對(duì)的第一表面和第二表面；在所述第一表面形成沉槽以及在所述沉槽的底面形成第一沉孔；在所述沉槽及所述第一沉孔內(nèi)形成第一含能材料層；在所述第二表面形成半導(dǎo)體橋，所述半導(dǎo)體橋用于通電釋放熱量以引爆所述第一含能材料層；將所述第一表面與所述芯片本體貼合固定；所述在所述第二表面形成半導(dǎo)體橋，包括：將所述半導(dǎo)體橋的加熱部分形成在所述第二表面，所述半導(dǎo)體橋的加熱部分與所述第一沉孔位置相對(duì)；所述將所述半導(dǎo)體橋的加熱部分形成在所述第二表面，包括：在所述第二表面形成導(dǎo)電層；在所述導(dǎo)電層表面形成加熱電極，所述加熱電極與所述第一沉孔位置相對(duì)，且所述加熱電極的電阻大于所述導(dǎo)電層的電阻；所述在所述第二表面形成半導(dǎo)體橋之前，所述方法還包括：在所述第二表面刻蝕形成第二沉孔，所述第二沉孔和所述第一沉孔位置相對(duì)，所述第二沉孔用于形成所述半導(dǎo)體橋的加熱部分。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人中國電子科技集團(tuán)公司信息科學(xué)研究院;哈爾濱工業(yè)大學(xué);中國電子科技集團(tuán)公司第三十三研究所，其通訊地址為：100041 北京市石景山區(qū)實(shí)興大街金府路30號(hào)院4號(hào)樓；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。