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龍圖騰網恭喜山東志偉環保科技有限公司申請的專利用于半導體清洗刻蝕的臭氧變壓吸附濃縮方法及系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119327226B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411884093.9，技術領域涉及：B01D53/047；該發明授權用于半導體清洗刻蝕的臭氧變壓吸附濃縮方法及系統是由牛凱;馬洪波;劉毅;徐廣龍;劉金旭設計研發完成，并于2024-12-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于半導體清洗刻蝕的臭氧變壓吸附濃縮方法及系統在說明書摘要公布了：本申請涉及臭氧壓縮的技術領域，尤其是涉及一種用于半導體清洗刻蝕的臭氧變壓吸附濃縮方法及系統，其中方法包括：氣體壓縮：將臭氧和氧氣的混合氣體經過除水加壓，形成有壓初始氣；吸附分離：調整有壓初始氣與吸附劑層均勻接觸，然后依次穿過流動吸附劑層和固定吸附劑層，并在吸附時，調整氣體吹向固定吸附劑層的方向，然后將剩余氣體排出；解吸：將吸附劑吸附的臭氧與吸附劑分離，經過壓縮形成高純度臭氧濃縮氣。其中系統包括：對混合氣體進行預處理的預處理模塊、塔體、設置于塔體內的吸附層、連接塔體和預處理模塊并用于供氣的進氣管、設置于塔體上用于排氣的排氣管和設置于塔體上用于收集臭氧的解吸模塊。本申請具有改善吸附效果的效果。

本發明授權用于半導體清洗刻蝕的臭氧變壓吸附濃縮方法及系統在權利要求書中公布了：1.一種用于半導體清洗刻蝕的臭氧變壓吸附濃縮方法，其特征在于：包括以下步驟：氣體壓縮：將臭氧和氧氣的混合氣體經過除水加壓，形成有壓初始氣；吸附分離：將有壓初始氣進行濃度調整，使得有壓初始氣與吸附劑層均勻接觸，吸附劑層采用固定吸附劑層和流動吸附劑層相結合的方式，使得有壓初始氣首先穿過流動吸附劑層，流動吸附劑層位于網架內部，網架具有彈性，且網架沿豎直方向呈波浪型，在有壓初始氣的推動下發生晃動形成流體狀，流動吸附劑層的流動對穿過的氣體進行擾動并改變方向，然后經過流動吸附劑層吸附后的剩余氣體再穿過固定吸附劑層，并在穿過固定吸附劑層時，設置導向模塊，更改吹向固定吸附劑層的氣體的方向，最后經過固定吸附劑層的吸附，將剩余氣體排出；解吸：通過采用抽真空的方式，將吸附劑吸附的臭氧與吸附劑分離，經過壓縮形成高純度臭氧濃縮氣。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人山東志偉環保科技有限公司，其通訊地址為：250000 山東省濟南市中國(山東)自由貿易試驗區濟南片區工業南路61-11號山鋼新天地廣場7號樓2-305室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。