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龍圖騰網恭喜上海功成半導體科技有限公司申請的專利基于PNP三級管的IGBT器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119342855B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411907059.9，技術領域涉及：H10D12/00；該發明授權基于PNP三級管的IGBT器件及其制備方法是由侯曉偉;羅杰馨;柴展設計研發完成，并于2024-12-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于PNP三級管的IGBT器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種基于PNP三級管的IGBT器件及其制備方法，IGBT器件包括P+注入層、N型襯底、第一絕緣層、第一導電層、第二絕緣層及第二導電層，P+注入層上構造有IGBT集電極，N型襯底上形成有N?漂移區，N?漂移區上形成有兩個P型阱，P型阱上形成有N+區，其中一個N+區上形成有一個P+區，第二導電層構造有IGBT發射極、IGBT門極、PNP集電極、PNP基極和PNP發射極，IGBT發射極與一P型阱上的兩個N+區相連接，IGBT門極與PNP集電極相連接且與第一導電層相連接，PNP集電極與另一P型阱相連接，PNP基極與另一P型阱上的N+區相連接，PNP發射極與P+區相連接。

本發明授權基于PNP三級管的IGBT器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于PNP三級管的IGBT器件，其特征在于：包括從下至上布置的P+注入層、N型襯底、第一絕緣層、第一導電層、第二絕緣層以及第二導電層，所述P+注入層上構造有IGBT集電極，所述N型襯底上形成有N-漂移區，所述N-漂移區上形成有第一P型阱和第二P型阱，所述第一P型阱上形成有兩個N+區，所述第二P型阱上形成有一個N+區并在該N+區上形成有一個P+區，所述第一導電層構造有第一導電部，所述第二導電層構造有IGBT發射極、IGBT門極、PNP集電極、PNP基極和PNP發射極，所述IGBT發射極穿過所述第二絕緣層與所述第一P型阱上的兩個N+區相連接，所述IGBT門極與所述PNP集電極相連接且穿過所述第二絕緣層與所述第一導電部相連接，所述PNP集電極穿過所述第二絕緣層與所述第二P型阱相連接，所述PNP基極穿過所述第二絕緣層與所述第二P型阱上的N+區相連接，所述PNP發射極穿過所述第二絕緣層與所述P+區相連接。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海功成半導體科技有限公司，其通訊地址為：201800 上海市嘉定區興文路1277號5幢1層、2層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。