恭喜上海功成半導體科技有限公司高學獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜上海功成半導體科技有限公司申請的專利一種新型功率器件的制備方法及功率器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119403160B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411975013.0，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權一種新型功率器件的制備方法及功率器件是由高學;柴展;羅杰馨設計研發完成，并于2024-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種新型功率器件的制備方法及功率器件在說明書摘要公布了：本申請公開了一種新型功率器件的制備方法及功率器件，涉及功率半導體器件技術領域，能夠解決SGTMOSFET器件快關斷下Vds的應力過大的問題，進而可以提高器件的穩定性。所述方法包括：在第一襯底的第一表面形成外延層；在所述外延層上形成多個多晶硅，所述多晶硅包括第一多晶硅和第二多晶硅，所述第一多晶硅和所述第二多晶硅交替排布；將每個所述第一多晶硅與第一電極連接，將每個所述第二多晶硅與第二電極連接，得到目標結構；將所述第一電極與器件結構的柵極連接，將所述第二電極與器件結構的源極連接。
本發明授權一種新型功率器件的制備方法及功率器件在權利要求書中公布了：1.一種新型功率器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：在第一襯底的第一表面形成外延層；在所述外延層上形成多個多晶硅，所述多晶硅包括第一多晶硅和第二多晶硅，所述第一多晶硅和所述第二多晶硅交替排布；將每個所述第一多晶硅與第一電極連接，將每個所述第二多晶硅與第二電極連接，得到目標結構；將所述第一電極與預先制備的SGTMOSFET的器件結構的柵極連接，將所述第二電極與器件結構的源極連接。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海功成半導體科技有限公司，其通訊地址為：201800 上海市嘉定區興文路1277號5幢1層、2層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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