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龍圖騰網(wǎng)恭喜安徽大學(xué)申請的專利SRAM的存內(nèi)乘法運(yùn)算電路和模塊、SRAM和電子設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119415475B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510026330.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F15/78；該發(fā)明授權(quán)SRAM的存內(nèi)乘法運(yùn)算電路和模塊、SRAM和電子設(shè)備是由藺智挺;楊洋;趙強(qiáng);劉玉;楊輝;盧文娟;彭春雨;李志剛;吳秀龍?jiān)O(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-01-08向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本SRAM的存內(nèi)乘法運(yùn)算電路和模塊、SRAM和電子設(shè)備在說明書摘要公布了：本申請涉及一種SRAM的存內(nèi)乘法運(yùn)算電路和模塊、SRAM和電子設(shè)備，其中，該存內(nèi)乘法運(yùn)算電路包括存儲部分和加權(quán)部分，存儲部分包括八個(gè)存儲單元，每個(gè)存儲單元具有模擬量輸入端和模擬量輸出端且用于存儲單比特權(quán)重，每個(gè)存儲單元在自身存儲的單比特權(quán)重為1時(shí)導(dǎo)通模擬量輸入端和模擬量輸出端以及在自身存儲的單比特權(quán)重為0時(shí)斷開模擬量輸入端和模擬量輸出端；加權(quán)部分包括第一電容、第二電容、第三電容、第四電容、第五電容、第六電容、第七電容、第八電容、第九電容、第十電容和第十一電容。所采用電容的數(shù)量和總?cè)葜稻伲档土穗娐访娣e開銷，解決了目前基于電荷域的SRAM的存內(nèi)乘法運(yùn)算電路的面積開銷較大的問題。

本發(fā)明授權(quán)SRAM的存內(nèi)乘法運(yùn)算電路和模塊、SRAM和電子設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種SRAM的存內(nèi)乘法運(yùn)算電路，其特征在于，包括：存儲部分，其包括八個(gè)存儲單元，每個(gè)存儲單元具有模擬量輸入端和模擬量輸出端且用于存儲單比特權(quán)重，每個(gè)存儲單元在自身存儲的單比特權(quán)重為1時(shí)導(dǎo)通模擬量輸入端和模擬量輸出端以及在自身存儲的單比特權(quán)重為0時(shí)斷開模擬量輸入端和模擬量輸出端，八個(gè)存儲單元的模擬量輸入端連接有同一模擬量輸入線；加權(quán)部分，其包括第一電容、第二電容、第三電容、第四電容、第五電容、第六電容、第七電容、第八電容、第九電容、第十電容和第十一電容；其中，八個(gè)存儲單元的模擬量輸出端分別與第一電容至第八電容的第一極板連接，第一電容和第二電容的第二極板與第九電容的第一極板連接，第三電容和第四電容的第二極板與第九電容的第二極板連接，第五電容和第六電容的第二極板與第十電容的第一極板連接，第七電容和第八電容的第二極板與第十電容的第二極板連接，第九電容的第二極板還與第十一電容的第一極板連接，第十電容的第二極板還與第十一電容的第二極板連接并構(gòu)成SRAM的存內(nèi)乘法運(yùn)算電路的輸出節(jié)點(diǎn)。

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