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龍圖騰網恭喜安徽大學申請的專利SRAM的存內乘法運算電路和模塊、SRAM和電子設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119415475B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510026330.6，技術領域涉及：G06F15/78；該發明授權SRAM的存內乘法運算電路和模塊、SRAM和電子設備是由藺智挺;楊洋;趙強;劉玉;楊輝;盧文娟;彭春雨;李志剛;吳秀龍設計研發完成，并于2025-01-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本SRAM的存內乘法運算電路和模塊、SRAM和電子設備在說明書摘要公布了：本申請涉及一種SRAM的存內乘法運算電路和模塊、SRAM和電子設備，其中，該存內乘法運算電路包括存儲部分和加權部分，存儲部分包括八個存儲單元，每個存儲單元具有模擬量輸入端和模擬量輸出端且用于存儲單比特權重，每個存儲單元在自身存儲的單比特權重為1時導通模擬量輸入端和模擬量輸出端以及在自身存儲的單比特權重為0時斷開模擬量輸入端和模擬量輸出端；加權部分包括第一電容、第二電容、第三電容、第四電容、第五電容、第六電容、第七電容、第八電容、第九電容、第十電容和第十一電容。所采用電容的數量和總容值均更少，降低了電路面積開銷，解決了目前基于電荷域的SRAM的存內乘法運算電路的面積開銷較大的問題。

本發明授權SRAM的存內乘法運算電路和模塊、SRAM和電子設備在權利要求書中公布了：1.一種SRAM的存內乘法運算電路，其特征在于，包括：存儲部分，其包括八個存儲單元，每個存儲單元具有模擬量輸入端和模擬量輸出端且用于存儲單比特權重，每個存儲單元在自身存儲的單比特權重為1時導通模擬量輸入端和模擬量輸出端以及在自身存儲的單比特權重為0時斷開模擬量輸入端和模擬量輸出端，八個存儲單元的模擬量輸入端連接有同一模擬量輸入線；加權部分，其包括第一電容、第二電容、第三電容、第四電容、第五電容、第六電容、第七電容、第八電容、第九電容、第十電容和第十一電容；其中，八個存儲單元的模擬量輸出端分別與第一電容至第八電容的第一極板連接，第一電容和第二電容的第二極板與第九電容的第一極板連接，第三電容和第四電容的第二極板與第九電容的第二極板連接，第五電容和第六電容的第二極板與第十電容的第一極板連接，第七電容和第八電容的第二極板與第十電容的第二極板連接，第九電容的第二極板還與第十一電容的第一極板連接，第十電容的第二極板還與第十一電容的第二極板連接并構成SRAM的存內乘法運算電路的輸出節點。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人安徽大學，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經開區九龍路111號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。