恭喜內(nèi)蒙古大學(xué)趙玉娟獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜內(nèi)蒙古大學(xué)申請(qǐng)的專利一種超小單介孔碳納米顆粒及其制備方法和應(yīng)用獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN119409179B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202510027443.8,技術(shù)領(lǐng)域涉及:C01B32/15;該發(fā)明授權(quán)一種超小單介孔碳納米顆粒及其制備方法和應(yīng)用是由趙玉娟;王杰;韓笑;孫若嶼;趙再望;趙密魯;王濤;趙東元設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2025-01-08向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本一種超小單介孔碳納米顆粒及其制備方法和應(yīng)用在說(shuō)明書摘要公布了:本發(fā)明適用于介孔材料技術(shù)領(lǐng)域,一種超小單介孔碳納米顆粒及其制備方法和應(yīng)用,碳納米顆粒為中空結(jié)構(gòu);制備方法包括(1)制備單膠束溶液;(2)得到SiO2納米顆粒;(3)得到SiO2@單膠束超結(jié)構(gòu)納米顆粒;(4)得到聚多巴胺包裹的SiO2@單膠束的復(fù)合物;(5)得到SiO2@介孔碳結(jié)構(gòu);以及超小單介孔碳納米顆粒在電池的應(yīng)用。有益效果:本發(fā)明公開(kāi)了一種超小單介孔碳納米顆粒及其制備方法,該單介孔碳納米顆粒具有大的比表面積,超小粒徑,大孔徑和獨(dú)特的破孔結(jié)構(gòu),增加了化學(xué)反應(yīng)的活性位點(diǎn),能提供更好的物質(zhì)傳輸通道,降低了安全隱患,組裝而成的水系鋅離子電池,具有較高的放電比容量。
本發(fā)明授權(quán)一種超小單介孔碳納米顆粒及其制備方法和應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了:1.一種超小單介孔碳納米顆粒的制備方法,其特征在于:其包括以下步驟:(1)制備單膠束溶液:以嵌段共聚物為軟模板,將其溶解在乙醇溶液后,得到濃度為0.2-30mgmL的嵌段共聚物溶液,接著采用熱動(dòng)力學(xué)控制的方法制備單膠束溶液;(2)SiO2納米顆粒的制備:將去離子水、無(wú)水乙醇和濃氨溶液按照質(zhì)量比為10-20:1-24:5-10混合均勻得到A溶液,將四乙氧基硅烷與無(wú)水乙醇按照質(zhì)量比為10-50:1-5混合均勻得到B溶液,將所述B溶液倒入所述A溶液中,在室溫下攪拌反應(yīng)2-10h;之后再加入二甲基二甲氧基硅烷,攪拌反應(yīng)2-10h,反應(yīng)后經(jīng)過(guò)純化、干燥得到100-300nm的SiO2納米顆粒;所述B溶液、所述A溶液和所述二甲基二甲氧基硅烷之間的質(zhì)量比為16-54:11-55:0.4-2.0;(3)SiO2@單膠束超結(jié)構(gòu)納米顆粒的制備:將步驟(2)中的SiO2納米顆粒均勻分散在無(wú)水乙醇溶液中,形成濃度為1-10mgmL的SiO2無(wú)水乙醇溶液,接著在攪拌下向SiO2無(wú)水乙醇溶液中逐滴添入步驟(1)中所述的單膠束溶液,然后加入氨水調(diào)節(jié)pH值至7-9后,經(jīng)過(guò)純化、干燥得到SiO2@單膠束超結(jié)構(gòu)納米顆粒;(4)SiO2@單膠束的復(fù)合物的制備:將步驟(3)中的超結(jié)構(gòu)納米顆粒均勻分散在無(wú)水乙醇溶液中,形成濃度為1-5mgmL的超結(jié)構(gòu)納米顆粒醇溶液,接著向超結(jié)構(gòu)納米顆粒醇溶液中加入去離子水和雙2-羥乙基氨基三羥甲基甲烷緩沖劑,并超聲處理5-15分鐘使其分散均勻,之后加入鹽酸多巴胺,在室溫下攪拌反應(yīng)2-10h,得到聚多巴胺包裹的SiO2@單膠束的復(fù)合物;(5)超小單介孔碳納米顆粒的制備:將步驟(4)中的所述復(fù)合物依次經(jīng)過(guò)離心、洗滌、干燥得到純凈的樣品,之后在氮?dú)鈿夥障卤簾?-5℃min的升溫速率從室溫升高到350-800℃,并保持3-10h,得到SiO2@介孔碳結(jié)構(gòu);最后用氫氧化鈉溶液處理,處理溫度為5-60℃,處理時(shí)間為4-10h,去除二氧化硅模板生成超小單介孔碳納米顆粒。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人內(nèi)蒙古大學(xué),其通訊地址為:010000 內(nèi)蒙古自治區(qū)呼和浩特市賽罕區(qū)大學(xué)西路235號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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