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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體裝置及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113130481B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011460737.3，技術領域涉及：H10D84/83；該發明授權半導體裝置及其制造方法是由楊松鑫;鄭宗期;蕭茹雄設計研發完成，并于2020-12-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：提供了半導體裝置及其制造方法。在一實施方式中，半導體裝置包括：一基板其包括一核心裝置區域和一輸入輸出裝置IO裝置區域；在核心裝置中的多個核心裝置，多個核心裝置中的各者包括沿著第一方向延伸的第一主動區域；以及在輸入輸出裝置區域中的多個第一輸入輸出裝置IO晶體管，多個第一輸入輸出裝置IO晶體管中的各者包括沿著第一方向延伸的第二主動區域。第一主動區域包括第一寬度其沿著垂直于第一方向的第二方向，并且第二主動區域包括第二寬度其沿著第二方向。第二寬度大于第一寬度。

本發明授權半導體裝置及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其特征在于，包含：一基板，其包括一核心裝置區域和一輸入輸出裝置區域；多個核心裝置，其在該核心裝置區域中，所述多個核心裝置中的各者包括一第一主動區域，其沿著第一方向延伸，并且該第一主動區域包括沿著該第一方向平行延伸并且沿著垂直于該第一方向的第二方向間隔開的兩個半導體鰭片；多個第一輸入輸出晶體管，其在該輸入輸出裝置區域中，所述多個第一輸入輸出晶體管中的各者包括一第二主動區域，其沿著該第一方向延伸，一第一柵極結構，圍繞在該第一主動區域中的所述兩個半導體鰭片并且沿著該第二方向縱向延伸；一第二柵極結構，圍繞該第二主動區域并且沿著該第二方向縱向延伸；以及多個第二輸入輸出晶體管，所述多個第二輸入輸出晶體包括一第三主動區域，其沿著該第一方向延伸；其中，該第一主動區域的所述兩個半導體鰭片中的各者包括沿著該第二方向的第一寬度，并且該第二主動區域包括第二寬度，其沿著該第二方向，其中該第二寬度大于該第一寬度，其中該第一柵極結構包括沿著該第一方向的一第一柵極尺寸，其中該第二柵極結構包括沿著該第一方向的一第二柵極尺寸，其中該第一柵極尺寸和該第二柵極尺寸相同，并且該第一柵極結構和該第二柵極結構在該第二方向彼此對準并間隔開，并且該第一柵極結構和該第二柵極結構從沿著該第二方向延伸的一單個柵極結構中切割，其中該第三主動區域包括沿著該第二方向的第三寬度，其中該第三寬度等于該第一寬度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市新竹科學工業園區力行六路八號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。