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龍圖騰網(wǎng)恭喜日產(chǎn)化學(xué)株式會(huì)社申請(qǐng)的專(zhuān)利單層相位差材料的制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116323702B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-01發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202180066988.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G02B5/30；該發(fā)明授權(quán)單層相位差材料的制造方法是由山極大輝;藤枝司設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-09-29向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本單層相位差材料的制造方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：根據(jù)一種單層相位差材料的制造方法，能夠制作相位差值及雙折射高的單層相位差材料，所述單層相位差材料的制造方法包含以下工序：I將聚合物組合物涂布于基板上并干燥，形成涂膜；以及II對(duì)所述涂膜照射偏振光紫外線，所述聚合物組合物包含在側(cè)鏈具有以波長(zhǎng)365nm的光進(jìn)行光二聚化或光異構(gòu)化的光反應(yīng)性部位的聚合物，偏振光紫外線中的波長(zhǎng)313nm的光在波長(zhǎng)365nm的光與波長(zhǎng)313nm的光的合計(jì)量中所占的量為10％以下。

本發(fā)明授權(quán)單層相位差材料的制造方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種單層相位差材料的制造方法，其特征在于，包含以下工序：（I）將聚合物組合物涂布于基板上并干燥，形成涂膜；以及（II）對(duì)所述涂膜照射偏振光紫外線，所述聚合物組合物包含在側(cè)鏈具有以波長(zhǎng)365nm的光進(jìn)行光二聚化或光異構(gòu)化的光反應(yīng)性部位的聚合物，所述光反應(yīng)性部位由下述式（a3）表示： ;式（a3）中，A1表示單鍵、-O-、-CH2-、-COO-、-OCO-、-CONH-、或-NH-CO-，L表示碳原子數(shù)1～12的亞烷基，該亞烷基的氫原子各自獨(dú)立地被或不被鹵素原子替代，Y1表示2價(jià)苯環(huán)，Q1表示選自苯環(huán)和碳原子數(shù)5～8的脂環(huán)式烴環(huán)中的基團(tuán)，在Y1和Q1中，與苯環(huán)鍵合的氫原子各自獨(dú)立地被或不被氰基、鹵素原子、碳原子數(shù)1～5的烷基、碳原子數(shù)1～5的烷基羰基、或碳原子數(shù)1～5的烷基氧基替代，X1表示單鍵、-O-、-COO-、或-OCO-，n1為0、1或2，當(dāng)X1的數(shù)量為2時(shí)，X1彼此相同或不同，當(dāng)Q1的數(shù)量為2時(shí)，Q1彼此相同或不同；虛線表示結(jié)合鍵，所述偏振光紫外線中波長(zhǎng)313nm的光在波長(zhǎng)365nm的光與波長(zhǎng)313nm的光的合計(jì)量中所占的量為10%以下，所述單層相位差材料的厚度為0.5～10μm。

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