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龍圖騰網(wǎng)恭喜清華大學(xué)申請(qǐng)的專利一種單源雙射線成像檢測(cè)方法及裝置獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114594113B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-01發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210203812.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01N23/04；該發(fā)明授權(quán)一種單源雙射線成像檢測(cè)方法及裝置是由楊祎罡;李元景;王學(xué)武;李玉蘭;張智;于洋懿設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-03-02向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種單源雙射線成像檢測(cè)方法及裝置在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種單源雙射線成像檢測(cè)方法及裝置，方法包括：根據(jù)被檢測(cè)物體的中子成像檢測(cè)數(shù)據(jù)和X射線成像檢測(cè)數(shù)據(jù)，確定被檢測(cè)物體對(duì)于中子和X射線的透射衰減量；根據(jù)被檢測(cè)物體對(duì)于中子和X射線的透射衰減量，計(jì)算被檢測(cè)物體的材料屬性參數(shù)；統(tǒng)計(jì)材料屬性參數(shù)的分布，擬合出材料屬性參數(shù)的高斯分布曲線；根據(jù)預(yù)設(shè)的判別閾值，對(duì)高斯分布曲線中超出預(yù)設(shè)分布范圍的材料屬性參數(shù)進(jìn)行標(biāo)記；根據(jù)標(biāo)記出的材料屬性參數(shù)確定被檢測(cè)物體中目標(biāo)對(duì)象的位置。在擬合出的材料屬性參數(shù)高斯分布曲線中，對(duì)超出分布范圍的屬性參數(shù)進(jìn)行標(biāo)記，根據(jù)標(biāo)記出的屬性參數(shù)確定目標(biāo)對(duì)象的位置，能夠?qū)Ρ粰z測(cè)物體中目標(biāo)對(duì)象的位置進(jìn)行準(zhǔn)確定位，提高了檢測(cè)的精確度。

本發(fā)明授權(quán)一種單源雙射線成像檢測(cè)方法及裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種單源雙射線成像檢測(cè)方法，其特征在于，包括：根據(jù)被檢測(cè)物體的中子成像檢測(cè)數(shù)據(jù)和X射線成像檢測(cè)數(shù)據(jù)，確定所述被檢測(cè)物體對(duì)于中子和X射線的透射衰減量；根據(jù)所述被檢測(cè)物體對(duì)于中子和X射線的透射衰減量，計(jì)算所述被檢測(cè)物體的材料屬性參數(shù)；統(tǒng)計(jì)所述材料屬性參數(shù)的分布，擬合出所述材料屬性參數(shù)的高斯分布曲線；根據(jù)預(yù)設(shè)的判別閾值，對(duì)所述高斯分布曲線中超出預(yù)設(shè)分布范圍的所述材料屬性參數(shù)進(jìn)行標(biāo)記；根據(jù)標(biāo)記出的所述材料屬性參數(shù)確定所述被檢測(cè)物體中目標(biāo)對(duì)象的位置。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人清華大學(xué)，其通訊地址為：100084 北京市海淀區(qū)清華園；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。