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龍圖騰網恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利3D CMOS圖像傳感器及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115020437B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210850651.4，技術領域涉及：H10F39/18；該發明授權3D CMOS圖像傳感器及其形成方法是由周成;王厚有設計研發完成，并于2022-07-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本3D CMOS圖像傳感器及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種3DCMOS圖像傳感器及其形成方法，涉及圖像傳感器領域，包括：襯底，襯底內包括至少一個光電二極管；阱區，阱區形成于所述光電二極管上方并與所述光電二極管連接，所述阱區為薄膜空腔結構；浮置擴散區，浮置擴散區形成于所述襯底上且位于所述阱區上方，并與所述阱區連接；以及，傳輸柵，傳輸柵浮置于所述襯底上方且將所述阱區包圍，所述傳輸柵為金屬柵。通過將所述傳輸柵和浮置擴散區浮置于所述襯底上方，浮置擴散區可以自由擴展面積，增加滿阱容量。另外，使用金屬柵作為傳輸柵，減少了柵電阻，增加傳輸柵響應速度，有利于增加光量子效率。采用薄膜空腔結構構成阱區，阱區無需作額外的離子注入摻雜，有利于降低工藝難度。

本發明授權3D CMOS圖像傳感器及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種3DCMOS圖像傳感器，其特征在于，包括：襯底，所述襯底內包括至少一個光電二極管；阱區，所述阱區形成于所述光電二極管上方，并與所述光電二極管連接，所述阱區為薄膜空腔結構；浮置擴散區，所述浮置擴散區形成于所述襯底上且位于所述阱區上方，并與所述阱區連接；以及，傳輸柵，所述傳輸柵浮置于所述襯底上方且將所述阱區包圍，所述傳輸柵為金屬柵；第一介質層，所述第一介質層位于所述傳輸柵與所述襯底之間；以及貫穿所述第一介質層的第一開口；第一多晶硅層，所述第一多晶硅層覆蓋所述第一開口的側壁和底壁，以構成所述阱區；第三介質層，所述第三介質層填充于所述第一開口中；第二開口，所述第二開口形成于所述第一開口中且位于所述第三介質層上方；以及，第二多晶硅層，所述第二多晶硅層填充于所述第二開口中，以形成所述浮置擴散區。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。