恭喜中國工程物理研究院激光聚變研究中心邵婷獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中國工程物理研究院激光聚變研究中心申請的專利一種提升熔石英元件抗紫外激光誘導損傷性能的刻蝕方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116444167B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310480173.7，技術領域涉及：C03C15/00；該發明授權一種提升熔石英元件抗紫外激光誘導損傷性能的刻蝕方法是由邵婷;孫來喜;吳衛東;葉鑫;黎維華;肖凱博;高松;張曉璐;鄭建剛設計研發完成，并于2023-04-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種提升熔石英元件抗紫外激光誘導損傷性能的刻蝕方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種提升熔石英元件抗紫外激光誘導損傷性能的刻蝕方法，屬于熔石英元件加工技術領域，對熔石英元件的表面進行反應離子刻蝕處理，所述反應離子刻蝕采用的等離子體包括氟碳等離子體、氬等離子體和氧等離子體，本發明采用純干法刻蝕對熔石英元件進行表面后處理，在現有反應離子刻蝕技術基礎上，通過在原料氣中添加一定量的氧氣，或是在刻蝕完成之后繼續用氧等離子對樣品進行一定時間的后處理，抑制F元素與熔石英基體的結合，抑制或修復次生缺陷的生成，提高元件抗損傷性能提升幅度。
本發明授權一種提升熔石英元件抗紫外激光誘導損傷性能的刻蝕方法在權利要求書中公布了：1.一種提升熔石英元件抗紫外激光誘導損傷性能的刻蝕方法，其特征在于，將熔石英元件放置于反應離子刻蝕機的等離子體腔室內，對等離子體腔室抽真空后，通入原料氣，開啟等離子體射頻電源產生等離子體對熔石英元件進行反應離子刻蝕處理，所述反應離子刻蝕采用的等離子體包括氟碳等離子體、氬等離子體和氧等離子體；原料氣包括氟碳氣體、氬氣與氧氣，所述氟碳氣體、氬氣的氣流量配比為14:1，所述氟碳氣體為CHF3，在原料氣中添加一定量的氧氣，抑制F元素與熔石英基體的結合，抑制次生缺陷的生成。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國工程物理研究院激光聚變研究中心，其通訊地址為：621999 四川省綿陽市綿山路64號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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