買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜遼寧嘉玉科技有限公司;遼寧嘉音醫療科技有限公司申請的專利用于磁粒子成像的高靈敏度高溫超導檢測線圈的設計方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117852281B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410033855.8，技術領域涉及：G06F30/20；該發明授權用于磁粒子成像的高靈敏度高溫超導檢測線圈的設計方法是由白石;諶繼超;史力伏;劉志堯;蓋伶柯;李克文;李天舒;柯麗;趙殿丞;張敏;于泓利;王哲言設計研發完成，并于2024-01-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于磁粒子成像的高靈敏度高溫超導檢測線圈的設計方法在說明書摘要公布了：一種用于磁粒子成像的高靈敏度高溫超導檢測線圈的設計方法，屬于磁粒子成像技術領域，解決現有技術通過降低外源性干擾方式來提高檢測線圈信噪比，線圈內部噪聲影響信噪比進一步提高的問題。該設計方法建立超導線圈在MPI條件下的各層薄膜所產生的損耗方式與損耗強度計算模型，依據數值理論的計算結果以及高溫超導帶材剛性彎折條件等制作了系列化高溫超導線圈并進行驗證；且開發了采用高溫超導檢測線圈的MPI成像系統，進行成像實驗和性能驗證。本發明的高溫超導檢測線圈模型設置在理想的MPI測量環境中，考慮到了磁場的頻率、強度、方向以及線圈匝數、直徑進行構建，具有更低的檢測線圈總損耗，更低的噪聲電壓以及更加優良的超導檢測線圈MPI成像效果。

本發明授權用于磁粒子成像的高靈敏度高溫超導檢測線圈的設計方法在權利要求書中公布了：1.一種用于磁粒子成像的高靈敏度高溫超導檢測線圈的設計方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟一、線圈內源性損耗與等效直流電阻分析；步驟二、高溫超導線材與薄膜結構的設計；步驟三、高溫超導檢測線圈損耗分析模型的構建；步驟四、高溫超導線圈磁滯損耗分析；步驟五、高溫超導線圈渦流損耗分析；步驟六、高溫超導線圈基底磁滯損耗分析；所述步驟三，建立以MPI為場景的高溫超導檢測線圈模型；設單條帶材厚度為lw，高溫超導帶材寬度為w，N匝線圈繞制而成的線圈內直徑為Din，厚度為dw；從線圈的最內側Din處開始取坐標l＝0至l＝dw，第i層帶材存在于l＝li-lw2和l＝li+lw2之間，其中li是第i個超導帶材的中心位置；為降低激勵噪聲干擾，用于SPIONs激勵的激勵磁場Bac-ex施加在垂直于高溫超導線材表面方向，同時線圈感應電流產生二次磁場Bac-in，Bac-ex為勻強場，而Bac-in在線圈內部最大，并在線圈外表面趨近于零，即線圈產生的二次磁場強度為l的函數Bac-inli；所述步驟四，對高溫超導線材超導層中的磁滯損耗以臨界狀態理論進行分析；在YBCO類超導體中，當Bac以垂直方向入射至超導線材表面時，其會部分侵入高溫超導線材兩側，且其侵入深度與外磁場強度及表面電流密度相關；w為高溫超導帶材寬度，s為侵入磁束的對稱中心，τ為磁束未侵入部分長度，Jyz為表面電流密度；對于第i個高溫超導帶材，可得單位體積下的磁滯損耗為： 其中，f為頻率，所述步驟五，以MPI場景下的高溫超導檢測線圈模型為基礎，在MPI檢測線圈典型頻率下對常導體在Bac-ex勻強場與Bac-in二次磁場作用下的渦流損耗進行分析，對于第i個高溫超導帶材，在趨膚深度大于帶材厚度的條件下，單位體積的渦流損耗為： 所述步驟六，所采用的高溫超導帶材其襯底為MgO，其鐵磁損耗是B-H環的面積，是該環的最大磁場Bm的函數；本方法中采用實測獲得的MgO的B-H曲線為計算參量，計算基底層在以MPI場景下的高溫超導檢測線圈模型中的磁滯損耗； 在不同Bac峰值下的面積可由如下表示： 對于第i個高溫超導帶材，得到單位體積的鐵磁損耗為：P3＝SBHBac-maxli*f17。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人遼寧嘉玉科技有限公司;遼寧嘉音醫療科技有限公司，其通訊地址為：110000 遼寧省沈陽市于洪區黃河北大街6號一層101；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。