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龍圖騰網恭喜湖南大學申請的專利考慮熱可靠性優化的混合器件驅動電壓參數設計方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118114478B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410237790.9，技術領域涉及：G06F30/20；該發明授權考慮熱可靠性優化的混合器件驅動電壓參數設計方法是由涂春鳴;白丹;龍柳;肖凡;肖標;郭祺;韓碩設計研發完成，并于2024-03-01向國家知識產權局提交的專利申請。

本考慮熱可靠性優化的混合器件驅動電壓參數設計方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種考慮熱可靠性優化的混合器件驅動電壓參數設計方法，包括以下步驟：步驟S1、通過損耗模型與熱網絡模型對混合器件結溫進行實時監控；步驟S2、判定SiCMOSFET是否出現重負載引起的過溫現象；步驟S3、在判定為重負載過溫的情況下，若實際可調的驅動電壓范圍為Vmin～Vmax，則設計驅動電壓參數為VGM＝Vmin、VGT＝Vmax，使SiCMOSFET的損耗最大程度的減小進而降低其結溫；其中，VGM、VGT分別為SiCMOSFET、SiIGBT的驅動電壓。本發明在保障變流器效率的前提下解決了SiCMOSFET在重載情況下易出現過溫現象的問題。

本發明授權考慮熱可靠性優化的混合器件驅動電壓參數設計方法在權利要求書中公布了：1.一種考慮熱可靠性優化的混合器件驅動電壓參數設計方法，其特征在于，包括以下步驟：步驟S1、通過損耗模型與熱網絡模型對混合器件結溫進行實時監控；步驟S2、判定SiCMOSFET是否出現重負載引起的過溫現象；步驟S3、在判定為重負載過溫的情況下，若實際可調的驅動電壓范圍為Vmin～Vmax，則設計驅動電壓參數為VGM＝Vmin、VGT＝Vmax，其中VGM＜VGT，使SiCMOSFET的損耗最大程度的減小進而降低其結溫；其中，VGM、VGT分別為SiCMOSFET、SiIGBT的驅動電壓；所述步驟S1具體為：設置混合器件負載電流有效值以及初始的驅動電壓VGT與VGM后，基于考慮驅動電壓的損耗模型計算出SiCMOSFET與SiIGBT各自的損耗，結合熱網絡模型得到SiCMOSFET的穩態結溫Tj_MOS與SiIGBT的穩態結溫Tj_IGBT；所述損耗模型包括開通損耗、關斷損耗以及導通損耗，其中：開通損耗為：Eon_MOS＝kMOSEon_hard_MOSEon_IGBT＝kIGBTEon_hard_IGBT其中，Eon_MOS、Eon_IGBT分別為SiCMOSFET、SiIGBT的開通損耗，kMOS、kIGBT分別為SiCMOSFET、SiIGBT的損耗系數，Eon_hard_MOS、Eon_hard_IGBT分別為SiCMOSFET、SiIGBT的硬開通損耗；關斷損耗為： 其中，Eoff_MOS為SiCMOSFET關斷損耗，Eoff_IGBT為SiIGBT關斷損耗，Toff_delay為混合器件關斷延時，toff1，toff2為關斷延時區間，Eoff_hard_MOS、Eoff_hard_IGBT分別為SiCMOSFET、SiIGBT的硬關斷損耗；E0為關斷延時取toff1時SiCMOSFET的關斷損耗；Eres為關斷延時取toff2時SiIGBT的關斷損耗，e為自然常數；τ為時間常數；導通損耗為： Econd_IGBT＝IIGBT·Vth+IIGBT·RCE式中，IMOS為SiCMOSFET的導通電流，IIGBT為SiIGBT的導通電流，Econd_MOS、Econd_IGBT分別為SiCMOSFET、SiIGBT的導通損耗；RDS為SiCMOSFET的導通電阻，Vth為SiIGBT的拐點電壓，RCE為SiIGBT的導通電阻。

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