買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜中科(深圳)無線半導體有限公司申請的專利一種耗盡型GaN的開關電源結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118694147B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411160126.5，技術領域涉及：H02M1/088；該發明授權一種耗盡型GaN的開關電源結構是由李科舉;麻勝恒;朱警怡設計研發完成，并于2024-08-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種耗盡型GaN的開關電源結構在說明書摘要公布了：本發明公開了一種耗盡型GaN的開關電源結構，涉及集成電路技術領域，解決了現有技術中不能很好控制耗盡型GaN開關速度和需要串接NMOS管耐壓過高的問題。本發明提出一種通過調節NMOS管驅動電流的方式來驅動耗盡型GaN源極電壓，從而實現功率管的開關速度可控的耗盡型GaN驅動方法。利用耗盡型GaN和NMOS管串接的中間節點可以實現信號檢測，簡化系統谷底檢測電路。同時利用耗盡型GaN常開的特點實現芯片上電取電功能，從而簡化系統的上電電路，降低系統待機功耗。進一步的可以利用耗盡型GaN常開的特點實現芯片供電功能，從而省掉輔助繞組Laux和二極管D8，簡化系統電路，降低成本。

本發明授權一種耗盡型GaN的開關電源結構在權利要求書中公布了：1.一種耗盡型GaN的開關電源結構，包括整流橋、吸收電路、變壓器T1、以及同步整流芯片及其外圍電路，其中，整流橋與吸收電路及變壓器T1連接，變壓器T1還與同步整流芯片及其外圍電路連接，其特征在于，還包括主控制芯片，所述主控制芯片包括取電檢測穩壓模塊、控制模塊和NMOS開關管N3，其中，所述取電檢測穩壓模塊與NMOS開關管N3的源極連接，所述控制模塊與NMOS開關管N3的柵極連接，且控制模塊內設有NMOS開關管N3的驅動電路，所述NMOS開關管N3通過耗盡型GaN開關管ND2與變壓器T1和吸收電路連接，所述主控制芯片的引腳FB通過環路補償電容C2接地，且所述主控制芯片的引腳FB還與同步整流芯片的外圍電路連接；所述取電檢測穩壓模塊包括與控制模塊連接的谷底檢測模塊和電流檢測模塊，所述谷底檢測模塊與晶體管N4的源極連接，所述電流檢測模塊與晶體管N4的漏極連接，所述晶體管N4的柵極分別與電阻R41的一端和穩壓二極管D42的陰極，所述晶體管N4的源極分別與電阻R41的另一端和穩壓器D43的陰極連接，所述晶體管N4的漏極與穩壓二極管D41的陽極連接，所述二極管D41的陰極與儲能電容C0的一端連接，所述穩壓器D43的陰極連接、穩壓二極管D42的陽極、儲能電容C0的一端均接地；所述NMOS開關管N3的驅動電路包括開關邏輯控制模塊和與緩沖器，其中，開關邏輯控制模塊輸入端接入開關脈沖控制信號PWM，開關邏輯控制模塊的輸出端與緩沖器連接，緩沖器未與開關邏輯控制模塊連接的一端與NMOS開關管N3連接；所述緩沖器有n個，NMOS開關管N3的驅動電路工作時，將NMOS管N3拆成多個NMOS管N31、N32、N33...N3n，然后開關脈沖控制信號PWM通過開關邏輯控制模塊處理后分別通過緩沖器U31、U32、U33...U3n驅動多個NMOS管N31、N32、N33...N3n的開與關，實現開關電流變化速率的控制。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中科(深圳)無線半導體有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市南山區南頭街道馬家龍社區南山大道3838號工業村金棟309；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。