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龍圖騰網恭喜浙江創芯集成電路有限公司申請的專利多層光柵結構的制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119165568B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411640823.0，技術領域涉及：G02B5/18；該發明授權多層光柵結構的制作方法是由許慶爽;綦殿禹;吳永玉設計研發完成，并于2024-11-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本多層光柵結構的制作方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種多層光柵結構的制作方法，通過將多層光柵所需的溝槽圖形進行一次主圖形曝光，刻蝕將圖形轉移至硬掩模，后續依次采用精度要求較低的掩膜版形成大線寬的刻蝕窗口和對已刻蝕的溝槽進行遮擋后，對待刻蝕的溝槽進行刻蝕，形成深度不同的多層溝槽光柵結構。由于溝槽的主圖形在同一次曝光中形成，后續溝槽的制備不會出現位置誤差等問題，并且降低了對套刻誤差的要求。因此，本發明能夠減少主圖形的曝光次數，同時可提高器件一致性。

本發明授權多層光柵結構的制作方法在權利要求書中公布了：1.一種多層光柵結構的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供襯底，在所述襯底上依次沉積第一介質層、第二介質層和硬掩模層；在所述硬掩模層上依次形成抗反射層和第一光阻層，通過光刻工藝在所述第一光阻層中形成間隔排布的第一光刻窗口、第二光刻窗口和第三光刻窗口；通過刻蝕將所述第一光刻窗口、第二光刻窗口和第三光刻窗口轉移至所述硬掩模層，以形成第一窗口、第二窗口和第三窗口；在所述硬掩模層上形成第二光阻層，通過光刻工藝在所述第二光阻層上形成第一刻蝕窗，所述第一刻蝕窗顯露所述第一窗口，所述第二光阻層遮擋所述第二窗口和第三窗口；基于所述第一刻蝕窗刻蝕所述第一窗口中的第二介質層、第一介質層和襯底，形成延伸至襯底內部的第一溝槽，通過灰化工藝去除所述第二光阻層；在所述硬掩模層上形成第三光阻層，通過光刻工藝在所述第三光阻層上形成第二刻蝕窗，所述第二刻蝕窗顯露所述第二窗口，所述第三光阻層遮擋所述第一窗口和第三窗口；基于所述第二刻蝕窗刻蝕所述第二窗口中的第二介質層和第一介質層，形成停止在襯底表面的第二溝槽，通過灰化工藝去除所述第三光阻層；在所述硬掩模層上形成第四光阻層，通過光刻工藝在所述第四光阻層上形成第三刻蝕窗，所述第三刻蝕窗顯露所述第三窗口，所述第四光阻層遮擋所述第一窗口和第二窗口；基于所述第三刻蝕窗刻蝕所述第三窗口中的第二介質層，形成停止在第一介質層表面的第三溝槽，通過灰化工藝去除所述第四光阻層；采用濕法刻蝕去除所述硬掩模層，所用濕法刻蝕溶液對所述硬掩模層與第二介質層、第一介質層和襯底具有高刻蝕選擇比；所述第一介質層為氧化物和氮化物中的一種，所述第二介質層為氧化物和氮化物中的另一種，所述硬掩模層為多晶硅。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江創芯集成電路有限公司，其通訊地址為：311200 浙江省杭州市蕭山區寧圍街道平瀾路2118號浙江大學杭州國際科創中心水博園區11幢4層-5層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。