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龍圖騰網恭喜廣東省科學院半導體研究所申請的專利UVLED的雙層金屬反射電極、UVLED及提高UVLED的光提取效率的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119208486B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411697762.1，技術領域涉及：H10H20/832；該發明授權UVLED的雙層金屬反射電極、UVLED及提高UVLED的光提取效率的方法是由譚起龍;劉寧煬;王長安;李祈昕;曾昭燴;曹夢;任涵;陳志濤設計研發完成，并于2024-11-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本UVLED的雙層金屬反射電極、UVLED及提高UVLED的光提取效率的方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種UVLED的雙層金屬反射電極、UVLED及提高UVLED的光提取效率的方法，UVLED的雙層金屬反射電極包括第一金屬反射層、介質層、接觸層和第二金屬反射層；其中，第二金屬反射層、介質層和第一金屬反射層沿外延方向排布，介質層將第一金屬反射層與第二金屬反射層分隔開；第一金屬反射層和介質層上設置有容納接觸層的容納空間，接觸層的朝向第二金屬反射層的一端與第二金屬反射層接觸，接觸層的背離第二金屬反射層的一端與第一金屬反射層一起構成一平面。由此，可以形成光的局域增強，增強局域的反射光，減少接觸層中GaN對深紫外光的強吸收，且能夠對局域反射光進行相位調制，還可以避免漏電，且能夠為雙層金屬反射電極與其他結構連接時實現電氣連接。

本發明授權UVLED的雙層金屬反射電極、UVLED及提高UVLED的光提取效率的方法在權利要求書中公布了：1.UVLED的雙層金屬反射電極，其特征在于，包括第一金屬反射層、介質層、接觸層和第二金屬反射層；其中，所述第一金屬反射層、介質層和第二金屬反射層沿外延方向排布，所述介質層將所述第一金屬反射層與第二金屬反射層分隔開；所述第一金屬反射層和介質層上設置有容納所述接觸層的容納空間，所述接觸層的朝向第二金屬反射層的一端與所述第二金屬反射層接觸，所述接觸層的背離第二金屬反射層的一端與所述第一金屬反射層一起構成一平面；所述介質層的厚度選取能夠使第一金屬反射層反射的光與第二金屬反射層反射的光相干增強的厚度；所述第一金屬反射層由金屬納米陣列構成；所述金屬納米陣列由金屬納米柱構成；所述金屬納米柱之間為所述接觸層的容納空間。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廣東省科學院半導體研究所，其通訊地址為：510651 廣東省廣州市天河區長興路363號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。