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龍圖騰網(wǎng)恭喜吉林奧來德光電材料股份有限公司;奧來德(上海)光電材料科技有限公司申請的專利一種電致發(fā)光材料及其制備方法和應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119241373B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-25發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411760426.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C07C211/61；該發(fā)明授權(quán)一種電致發(fā)光材料及其制備方法和應(yīng)用是由汪康;賈宇;王聰聰;張林驊;韓瑞鋒;李金磊;張思銘設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-12-03向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種電致發(fā)光材料及其制備方法和應(yīng)用在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于有機(jī)光電材料領(lǐng)域，公開了一種電致發(fā)光材料及其制備方法和應(yīng)用。所述電致發(fā)光材料的結(jié)構(gòu)如式I所示：。本發(fā)明提供的電致發(fā)光材料化合物在9?甲基?9?苯基芴基團(tuán)的基礎(chǔ)上，通過2,4位連接三芳胺與芳環(huán)，當(dāng)三芳胺基團(tuán)上都是芳基取代時(shí)，能級較低，避免載流子遷移局域化，能夠降低空穴傳輸能障，從而提升遷移速率，提升發(fā)光效率；三芳胺具有優(yōu)異的空穴傳輸性能，將三芳胺類材料用作發(fā)光輔助層，引入具有高三線態(tài)能級的基團(tuán)，能夠減小能級與能級之間的能極差，極大提高了器件的壽命。

本發(fā)明授權(quán)一種電致發(fā)光材料及其制備方法和應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種電致發(fā)光材料，其特征在于，所述電致發(fā)光材料的結(jié)構(gòu)如下： ；其中，R2獨(dú)立的選自被氘部分取代或全部取代或未取代的C1-C6烷基；R3獨(dú)立的選自被氘部分取代或全部取代或未取代的苯基、被氘部分取代或全部取代或未取代的聯(lián)苯基、被氘部分取代或全部取代或未取代的萘基；Ar1和Ar2分別獨(dú)立的選自以下基團(tuán)： ；n選自0，1，2，3，4，5的整數(shù)；m選自0，1，2，3，4，5，6，7的整數(shù)；p選自0，1，2，3，4的整數(shù)；q選自0，1，2，3的整數(shù)。

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