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龍圖騰網恭喜深圳優普萊等離子體技術有限公司;廣東優普萊金剛石技術有限公司申請的專利一種基于MPCVD設備的金剛石剝離方法、系統及終端獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119243330B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411766235.1，技術領域涉及：C30B28/14；該發明授權一種基于MPCVD設備的金剛石剝離方法、系統及終端是由全峰;吳家偉;闞京森設計研發完成，并于2024-12-04向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于MPCVD設備的金剛石剝離方法、系統及終端在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于MPCVD設備的金剛石剝離方法、系統及終端，所述方法包括：將目標基底材料放置在目標鉬片上，并根據目標旋涂液對目標基底材料進行成核生成處理，得到目標成核過渡層；確定預設工藝氣體，并對目標成核過渡層進行金剛石生長處理，得到多晶金剛石薄膜；設置第一降溫環境，并對多晶金剛石薄膜進行初始剝離處理，得到初始剝離多晶金剛石薄膜；設置第二降溫環境，并對初始剝離多晶金剛石薄膜進行再剝離處理，得到多晶金剛石薄膜剝離后的目標多晶金剛石薄膜以及目標基底。本發明通過成核過渡層工藝保證成核層與基底的適當結合力，并通過設置降溫環境流程實現金剛石與襯底之間的溫差變化，進而實現金剛石與基底之間的有效分離。

本發明授權一種基于MPCVD設備的金剛石剝離方法、系統及終端在權利要求書中公布了：1.一種基于MPCVD設備的金剛石剝離方法，其特征在于，所述基于MPCVD設備的金剛石剝離方法包括：獲取目標旋涂液、目標基底材料以及目標鉬片，將所述目標基底材料放置在所述目標鉬片上，并根據所述目標旋涂液對所述目標基底材料進行成核生成處理，得到目標成核過渡層；確定預設工藝氣體，并根據所述預設工藝氣體對所述目標成核過渡層進行金剛石生長處理，得到多晶金剛石薄膜，具體包括：獲取所述目標成核過渡層的生長面中心溫度以及邊緣溫度，并控制所述生長面中心溫度與所述邊緣溫度之間的溫度差處于預設溫度差，其中，所述生長面中心溫度大于所述邊緣溫度；開啟MPCVD設備中的微波，并向所述MPCVD設備中充入預設工藝氣體；根據所述預設工藝氣體對所述目標成核過渡層進行金剛石生長處理，得到多晶金剛石薄膜；通過有效的鉬托散熱設計，使生長過程中多晶生長面溫度中心與邊緣保持一定溫度差；鉬托考慮減少或避免多晶薄膜在基底側面的生長，減少在自動脫膜的過程中產生額外的結合力，避免導致多晶碎裂；設置第一降溫環境，并根據所述第一降溫環境對所述多晶金剛石薄膜進行初始剝離處理，得到初始剝離多晶金剛石薄膜，具體包括：設置所述MPCVD設備內的第一降溫環境，其中，所述第一降溫環境包括預設氫氣濃度范圍以及第一預設溫度范圍；根據所述預設氫氣濃度范圍和所述第一預設溫度范圍對所述多晶金剛石薄膜進行初始剝離處理，得到初始剝離多晶金剛石薄膜，具體包括：每間隔預設周期將所述第一預設溫度范圍進行降低處理，直到所述第一預設溫度范圍降低至第二預設溫度范圍，得到多個變化溫度；根據多個所述變化溫度和所述預設氫氣濃度范圍對所述多晶金剛石薄膜進行初始剝離處理，得到初始剝離多晶金剛石薄膜；設置的第一降溫環境通過控制甲烷的量來進行溫度的控制，通過對溫度的控制來實現金剛石和基底的初步分離；設置第二降溫環境，并根據所述第二降溫環境對所述初始剝離多晶金剛石薄膜進行再剝離處理，得到所述多晶金剛石薄膜剝離后的目標多晶金剛石薄膜以及目標基底，具體包括：關閉所述MPCVD設備中的微波，并獲取所述MPCVD設備關閉所述微波后的第二降溫環境；根據所述第二降溫環境對所述初始剝離多晶金剛石薄膜進行再剝離處理，得到所述多晶金剛石薄膜剝離后的目標多晶金剛石薄膜以及目標基底；當初始剝離處理結束后，則關閉微波以熄滅等離子體，促進硅襯底發生形變，使得多晶薄膜與硅襯底徹底分離。

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