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恭喜深南電路股份有限公司黃立湘獲國家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)恭喜深南電路股份有限公司申請(qǐng)的專利埋入式芯片及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN111354688B

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:201811571277.4,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L23/31;該發(fā)明授權(quán)埋入式芯片及其制造方法是由黃立湘;繆樺設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2018-12-21向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

埋入式芯片及其制造方法在說明書摘要公布了:本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N埋入式芯片及其制造方法。制造方法包括:提供一導(dǎo)電基底;在導(dǎo)電基底上設(shè)置裸芯和導(dǎo)電凸臺(tái),裸芯的底面上設(shè)置連接端子,連接端子與導(dǎo)電基底電連接;在裸芯和導(dǎo)電凸臺(tái)上設(shè)置第一絕緣層;在第一絕緣層對(duì)應(yīng)導(dǎo)電凸臺(tái)的頂部設(shè)置導(dǎo)電盲孔,導(dǎo)電盲孔將導(dǎo)電凸臺(tái)外露,在導(dǎo)電盲孔中設(shè)置與導(dǎo)電凸臺(tái)電連接的扇出端子,導(dǎo)電凸臺(tái)的底部通過導(dǎo)電基底與連接端子電連接,以使連接端子通過導(dǎo)電凸臺(tái)和扇出端子扇出。由此,需要開設(shè)的導(dǎo)電盲孔的厚度不需要太厚,僅需要打通第一絕緣層到導(dǎo)電凸臺(tái)之間的距離即可,簡化工藝,避免較厚的封裝體使得激光無法擊穿的情況,也可避免機(jī)械打孔帶來的大震動(dòng)以及低精度的問題。

本發(fā)明授權(quán)埋入式芯片及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種埋入式芯片的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:提供一導(dǎo)電基底;在所述導(dǎo)電基底上設(shè)置一框架,其中,所述框架上設(shè)置有間隔的第一通槽和第二通槽;在所述導(dǎo)電基底上設(shè)置一裸芯和至少一個(gè)導(dǎo)電凸臺(tái),所述裸芯包括相對(duì)設(shè)置的頂面和底面,所述底面上設(shè)置連接端子,所述連接端子與所述導(dǎo)電基底電連接;在所述第一通槽中設(shè)置所述裸芯,在所述第二通槽中設(shè)置所述導(dǎo)電凸臺(tái),使得所述裸芯和所述導(dǎo)電凸臺(tái)間隔設(shè)置;在所述裸芯和所述導(dǎo)電凸臺(tái)上設(shè)置第一絕緣層;其中,所述第一絕緣層進(jìn)一步覆蓋所述框架的表面、填充所述裸芯與所述第一通槽之間的間隙以及所述導(dǎo)電凸臺(tái)與所述第二通槽之間的間隙,對(duì)所述第一絕緣層進(jìn)行固化,使得所述第一絕緣層和所述框架形成一體結(jié)構(gòu);所述框架的材質(zhì)和所述第一絕緣層的材質(zhì)相同;其中,所述框架的厚度大于或等于所述裸芯的厚度以及所述導(dǎo)電凸臺(tái)的厚度;在所述第一絕緣層對(duì)應(yīng)所述導(dǎo)電凸臺(tái)的頂部設(shè)置導(dǎo)電盲孔,所述導(dǎo)電盲孔將所述導(dǎo)電凸臺(tái)外露,進(jìn)一步在導(dǎo)電盲孔中設(shè)置與所述導(dǎo)電凸臺(tái)電連接的扇出端子,所述導(dǎo)電凸臺(tái)的底部通過所述導(dǎo)電基底與所述連接端子電連接,以使所述連接端子通過導(dǎo)電凸臺(tái)和所述扇出端子扇出。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人深南電路股份有限公司,其通訊地址為:518000 廣東省深圳市南山區(qū)僑城東路99號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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