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龍圖騰網(wǎng)恭喜深南電路股份有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利埋入式芯片及其制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111354688B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：201811571277.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/31；該發(fā)明授權(quán)埋入式芯片及其制造方法是由黃立湘;繆樺設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2018-12-21向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本埋入式芯片及其制造方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N埋入式芯片及其制造方法。制造方法包括：提供一導(dǎo)電基底；在導(dǎo)電基底上設(shè)置裸芯和導(dǎo)電凸臺(tái)，裸芯的底面上設(shè)置連接端子，連接端子與導(dǎo)電基底電連接；在裸芯和導(dǎo)電凸臺(tái)上設(shè)置第一絕緣層；在第一絕緣層對(duì)應(yīng)導(dǎo)電凸臺(tái)的頂部設(shè)置導(dǎo)電盲孔，導(dǎo)電盲孔將導(dǎo)電凸臺(tái)外露，在導(dǎo)電盲孔中設(shè)置與導(dǎo)電凸臺(tái)電連接的扇出端子，導(dǎo)電凸臺(tái)的底部通過(guò)導(dǎo)電基底與連接端子電連接，以使連接端子通過(guò)導(dǎo)電凸臺(tái)和扇出端子扇出。由此，需要開(kāi)設(shè)的導(dǎo)電盲孔的厚度不需要太厚，僅需要打通第一絕緣層到導(dǎo)電凸臺(tái)之間的距離即可，簡(jiǎn)化工藝，避免較厚的封裝體使得激光無(wú)法擊穿的情況，也可避免機(jī)械打孔帶來(lái)的大震動(dòng)以及低精度的問(wèn)題。

本發(fā)明授權(quán)埋入式芯片及其制造方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種埋入式芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一導(dǎo)電基底；在所述導(dǎo)電基底上設(shè)置一框架，其中，所述框架上設(shè)置有間隔的第一通槽和第二通槽；在所述導(dǎo)電基底上設(shè)置一裸芯和至少一個(gè)導(dǎo)電凸臺(tái)，所述裸芯包括相對(duì)設(shè)置的頂面和底面，所述底面上設(shè)置連接端子，所述連接端子與所述導(dǎo)電基底電連接；在所述第一通槽中設(shè)置所述裸芯，在所述第二通槽中設(shè)置所述導(dǎo)電凸臺(tái)，使得所述裸芯和所述導(dǎo)電凸臺(tái)間隔設(shè)置；在所述裸芯和所述導(dǎo)電凸臺(tái)上設(shè)置第一絕緣層；其中，所述第一絕緣層進(jìn)一步覆蓋所述框架的表面、填充所述裸芯與所述第一通槽之間的間隙以及所述導(dǎo)電凸臺(tái)與所述第二通槽之間的間隙，對(duì)所述第一絕緣層進(jìn)行固化，使得所述第一絕緣層和所述框架形成一體結(jié)構(gòu)；所述框架的材質(zhì)和所述第一絕緣層的材質(zhì)相同；其中，所述框架的厚度大于或等于所述裸芯的厚度以及所述導(dǎo)電凸臺(tái)的厚度；在所述第一絕緣層對(duì)應(yīng)所述導(dǎo)電凸臺(tái)的頂部設(shè)置導(dǎo)電盲孔，所述導(dǎo)電盲孔將所述導(dǎo)電凸臺(tái)外露，進(jìn)一步在導(dǎo)電盲孔中設(shè)置與所述導(dǎo)電凸臺(tái)電連接的扇出端子，所述導(dǎo)電凸臺(tái)的底部通過(guò)所述導(dǎo)電基底與所述連接端子電連接，以使所述連接端子通過(guò)導(dǎo)電凸臺(tái)和所述扇出端子扇出。

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