恭喜華為技術有限公司周大為獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜華為技術有限公司申請的專利一種電子設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114583436B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011378857.9，技術領域涉及：H01Q1/24；該發明授權一種電子設備是由周大為;王漢陽;蔡曉濤;胡文龍設計研發完成，并于2020-11-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種電子設備在說明書摘要公布了：本申請實施例提供了一種電子設備，包括一種天線結構，通過NMT工藝進行二次注塑的工藝以改變其輻射體在不同位置對應的介質層的介質參數，可以達到改變天線輻射特性，提高天線輻射效率的目的。電子設備可以包括：邊框和介質層；所述邊框具有第一位置和第二位置，其中，所述第一位置和所述第二位置間的邊框作為天線輻射體；除所述第一位置和所述第二位置間的邊框外，所述邊框的至少部分內表面設置有第一介質；所述天線輻射體的至少部分表面設置有第二介質；所述第一介質和所述第二介質不同。
本發明授權一種電子設備在權利要求書中公布了：1.一種電子設備，其特征在于，包括：邊框和介質層，所述介質層設置在所述邊框的表面并包括第一介質層和第二介質層，所述第一介質層包括第一介質，所述第二介質層包括第二介質；所述邊框具有第一位置和第二位置，其中，所述第一位置和所述第二位置間的邊框作為天線輻射體；其中，除所述第一位置和所述第二位置間的邊框外，所述邊框的至少部分內表面設置有所述第一介質；所述邊框的第一位置處開設有第一縫隙，所述第一縫隙由所述第二介質填充，和或，所述輻射體具有第三縫隙，所述第三縫隙由所述第二介質填充；所述第一介質和所述第二介質的介電常數或介質損耗因子不同，或者，所述第一介質為電介質、且所述第二介質為磁介質。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華為技術有限公司，其通訊地址為：518129 廣東省深圳市龍崗區坂田華為總部辦公樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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