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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體裝置及其制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113140510B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110048155.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/03；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及其制造方法是由黃玉蓮設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-01-14向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體裝置及其制造方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法及一種半導(dǎo)體裝置，所述方法包括在一柵極堆疊上形成一第二硬質(zhì)遮罩層，以于蝕刻自對(duì)準(zhǔn)接觸件的期間保護(hù)柵極。前述第二硬質(zhì)遮罩層形成于第一硬質(zhì)遮罩層的上方，其中前述第一硬質(zhì)遮罩層具有比前述第二硬質(zhì)遮罩層更低的蝕刻選擇性。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及其制造方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：在一基底上方形成一第一柵極，該第一柵極設(shè)置于第一柵極間隔物之間；在該基底上方形成一第一介電層，且該第一介電層圍繞該第一柵極；在該第一柵極上方形成一第一硬質(zhì)遮罩層，且該第一硬質(zhì)遮罩層具有第一蝕刻選擇性；下凹該第一硬質(zhì)遮罩層；下凹該些第一柵極間隔物的上表面，使得該些第一柵極間隔物的該些上表面低于該第一硬質(zhì)遮罩層的上表面；在該第一硬質(zhì)遮罩層上方形成一第二硬質(zhì)遮罩層，該第二硬質(zhì)遮罩層向下延伸至該第一硬質(zhì)遮罩的側(cè)壁，該第二硬質(zhì)遮罩層具有第二蝕刻選擇性，且該第二蝕刻選擇性大于該第一蝕刻選擇性；在該第一柵極及該第一介電層上方形成一第二介電層；蝕刻出穿過(guò)該第二介電層及該第一介電層的一第一開(kāi)口，以暴露出相鄰于該第一柵極的一第一源極漏極區(qū)以及相鄰于該第一柵極的一第二源極漏極區(qū)，該第二硬質(zhì)遮罩層的該第二蝕刻選擇性保護(hù)該第一硬質(zhì)遮罩層免于被蝕刻；以一導(dǎo)電材料填充該第一開(kāi)口；以及下凹該第二硬質(zhì)遮罩層、該導(dǎo)電材料以及該第二介電層，以使該第一硬質(zhì)遮罩層、該導(dǎo)電材料以及該第一介電層的頂表面齊平，凹陷的該導(dǎo)電材料形成一第一導(dǎo)電接觸件至該第一源極漏極區(qū)以及一第二導(dǎo)電接觸件至該第二源極漏極區(qū)。

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