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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體裝置及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113140510B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110048155.2，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權半導體裝置及其制造方法是由黃玉蓮設計研發完成，并于2021-01-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：提供一種半導體裝置的制造方法及一種半導體裝置，所述方法包括在一柵極堆疊上形成一第二硬質遮罩層，以于蝕刻自對準接觸件的期間保護柵極。前述第二硬質遮罩層形成于第一硬質遮罩層的上方，其中前述第一硬質遮罩層具有比前述第二硬質遮罩層更低的蝕刻選擇性。

本發明授權半導體裝置及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置的制造方法，包括：在一基底上方形成一第一柵極，該第一柵極設置于第一柵極間隔物之間；在該基底上方形成一第一介電層，且該第一介電層圍繞該第一柵極；在該第一柵極上方形成一第一硬質遮罩層，且該第一硬質遮罩層具有第一蝕刻選擇性；下凹該第一硬質遮罩層；下凹該些第一柵極間隔物的上表面，使得該些第一柵極間隔物的該些上表面低于該第一硬質遮罩層的上表面；在該第一硬質遮罩層上方形成一第二硬質遮罩層，該第二硬質遮罩層向下延伸至該第一硬質遮罩的側壁，該第二硬質遮罩層具有第二蝕刻選擇性，且該第二蝕刻選擇性大于該第一蝕刻選擇性；在該第一柵極及該第一介電層上方形成一第二介電層；蝕刻出穿過該第二介電層及該第一介電層的一第一開口，以暴露出相鄰于該第一柵極的一第一源極漏極區以及相鄰于該第一柵極的一第二源極漏極區，該第二硬質遮罩層的該第二蝕刻選擇性保護該第一硬質遮罩層免于被蝕刻；以一導電材料填充該第一開口；以及下凹該第二硬質遮罩層、該導電材料以及該第二介電層，以使該第一硬質遮罩層、該導電材料以及該第一介電層的頂表面齊平，凹陷的該導電材料形成一第一導電接觸件至該第一源極漏極區以及一第二導電接觸件至該第二源極漏極區。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。