恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司吳琬瑤獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113130397B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110103244.2，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權半導體結構的形成方法是由吳琬瑤;溫明璋;張長昀設計研發完成，并于2021-01-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：本申請說明半導體結構的形成方法，其包括：形成柵極結構于基板上；形成層間介電結構以圍繞柵極結構；以及形成第一開口于柵極結構與層間介電結構中。第一開口具有柵極結構中的第一部分，以及層間介電結構中的第二部分，其中第一部分的寬度大于第二部分的寬度。方法還包括沉積介電層于第一開口中，以及形成第二開口于第一開口上。沉積介電層后，第一開口的第一部分維持開放，而介電層填入第一開口的第二部分。柵極結構中的第二開口的深度大于柵極結構中的第一開口的深度。
本發明授權半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，包括：形成一柵極結構于一基板上；形成一層間介電結構以圍繞該柵極結構；形成一第一開口于該柵極結構與該層間介電結構中，其中該第一開口具有該柵極結構中的一第一部分，以及該層間介電結構中的一第二部分，且該第一部分的寬度大于該第二部分的寬度；沉積一介電層于該第一開口中，其中該第一開口的該第一部分維持開放，而該介電層填入該第一開口的該第二部分；以及形成一第二開口于該第一開口上，其中該柵極結構中的該第二開口的深度大于該柵極結構中的該第一開口的深度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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