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龍圖騰網(wǎng)恭喜住友電氣工業(yè)株式會(huì)社;國立大學(xué)法人東北大學(xué)申請的專利制造半導(dǎo)體器件的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113284799B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202110176037.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/3065；該發(fā)明授權(quán)制造半導(dǎo)體器件的方法是由菅原健太;寒川誠二;大堀大介設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-02-09向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本制造半導(dǎo)體器件的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體器件的方法，半導(dǎo)體器件包括襯底、在襯底上的包含鎵的第一氮化物層以及在第一氮化物層上的包含硅的第二氮化物層，所述方法包括：產(chǎn)生包含氯原子或溴原子的氣體的蝕刻劑；通過蝕刻劑相對于第一氮化物層選擇性地去除第二氮化物層，在產(chǎn)生蝕刻劑時(shí)，通過氣體的等離子體放電來產(chǎn)生蝕刻劑，在選擇性地去除第二氮化物層中，防止等離子體放電時(shí)產(chǎn)生的紫外線照射第二和第一氮化物層，選擇性地去除第二氮化物層包括在第一氣氛下以第一壓力蝕刻第二氮化物層，第一壓力低于包含硅原子和被包含在氣體中的氯原子或溴原子的硅化合物的第一飽和蒸汽壓且高于包含鎵原子和被包含在氣體中的氯原子或溴原子的鎵化合物的第二飽和蒸汽壓。

本發(fā)明授權(quán)制造半導(dǎo)體器件的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述半導(dǎo)體器件包括：襯底；在所述襯底上的包含鎵的第一氮化物層；在所述第一氮化物層上的包含硅的第二氮化物層，所述方法包括：產(chǎn)生包含氯原子或溴原子的氣體的蝕刻劑；以及通過所述蝕刻劑相對于所述第一氮化物層選擇性地去除所述第二氮化物層，其中，在產(chǎn)生所述蝕刻劑時(shí)，通過所述氣體的等離子體放電來產(chǎn)生所述蝕刻劑，其中，在選擇性地去除所述第二氮化物層中，防止所述等離子體放電時(shí)產(chǎn)生的紫外線照射所述第二氮化物層和所述第一氮化物層，以及其中，選擇性地去除所述第二氮化物層包括在第一氣氛下以第一壓力蝕刻所述第二氮化物層，所述第一壓力低于包含硅原子和被包含在所述氣體中的氯原子或溴原子的硅化合物的第一飽和蒸汽壓，并且高于包含鎵原子和被包含在所述氣體中的氯原子或溴原子的鎵化合物的第二飽和蒸汽壓。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人住友電氣工業(yè)株式會(huì)社;國立大學(xué)法人東北大學(xué)，其通訊地址為：日本大阪府大阪市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。