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龍圖騰網恭喜住友電氣工業株式會社;國立大學法人東北大學申請的專利制造半導體器件的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113284799B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110176037.X，技術領域涉及：H01L21/3065；該發明授權制造半導體器件的方法是由菅原健太;寒川誠二;大堀大介設計研發完成，并于2021-02-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本制造半導體器件的方法在說明書摘要公布了：本發明涉及制造半導體器件的方法，半導體器件包括襯底、在襯底上的包含鎵的第一氮化物層以及在第一氮化物層上的包含硅的第二氮化物層，所述方法包括：產生包含氯原子或溴原子的氣體的蝕刻劑；通過蝕刻劑相對于第一氮化物層選擇性地去除第二氮化物層，在產生蝕刻劑時，通過氣體的等離子體放電來產生蝕刻劑，在選擇性地去除第二氮化物層中，防止等離子體放電時產生的紫外線照射第二和第一氮化物層，選擇性地去除第二氮化物層包括在第一氣氛下以第一壓力蝕刻第二氮化物層，第一壓力低于包含硅原子和被包含在氣體中的氯原子或溴原子的硅化合物的第一飽和蒸汽壓且高于包含鎵原子和被包含在氣體中的氯原子或溴原子的鎵化合物的第二飽和蒸汽壓。

本發明授權制造半導體器件的方法在權利要求書中公布了：1.一種制造半導體器件的方法，所述半導體器件包括：襯底；在所述襯底上的包含鎵的第一氮化物層；在所述第一氮化物層上的包含硅的第二氮化物層，所述方法包括：產生包含氯原子或溴原子的氣體的蝕刻劑；以及通過所述蝕刻劑相對于所述第一氮化物層選擇性地去除所述第二氮化物層，其中，在產生所述蝕刻劑時，通過所述氣體的等離子體放電來產生所述蝕刻劑，其中，在選擇性地去除所述第二氮化物層中，防止所述等離子體放電時產生的紫外線照射所述第二氮化物層和所述第一氮化物層，以及其中，選擇性地去除所述第二氮化物層包括在第一氣氛下以第一壓力蝕刻所述第二氮化物層，所述第一壓力低于包含硅原子和被包含在所述氣體中的氯原子或溴原子的硅化合物的第一飽和蒸汽壓，并且高于包含鎵原子和被包含在所述氣體中的氯原子或溴原子的鎵化合物的第二飽和蒸汽壓。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人住友電氣工業株式會社;國立大學法人東北大學，其通訊地址為：日本大阪府大阪市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。