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龍圖騰網恭喜派恩杰半導體(浙江)有限公司申請的專利終端有源區同設計的SiC功率器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113437154B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110704971.4，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權終端有源區同設計的SiC功率器件及其制備方法是由陳欣璐;黃興;張梓豪;隋金池;汪劍華;楊朝陽設計研發完成，并于2021-06-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本終端有源區同設計的SiC功率器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種終端有源區同設計SiC功率器件及其制備方法，涉及SiC功率器件領域，所述終端有源區同設計SiC功率器件中，形成所述元胞結構溝道的溝道注入區和終端區用于形成結終端的結終端注入區采用相同的掩蔽層刻蝕和離子注入工藝同時形成。通過在終端區和有源區采用相同的離子注入結構，解決了因圖形區域密度不同導致的刻蝕側墻角度不同而造成相應溝道離子注入時溝道尺寸不可控的問題。

本發明授權終端有源區同設計的SiC功率器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種終端有源區同設計的SiC功率器件，其特征在于，包括：第二導電類型碳化硅半導體基底，所述第二導電類型碳化硅半導體基底包括有源區和包圍有源區的終端區，所述有源區具有若干元胞結構；用于形成所述元胞結構溝道的溝道注入區和用于形成終端區結終端的結終端注入區采用相同的掩蔽層刻蝕和離子注入工藝同時形成；當所述SiC功率器件元胞結構為碳化硅MOSFET，所述終端區為場限環，所述碳化硅MOSFET的具體結構包括：位于所述第二導電類型碳化硅半導體基底有源區第一表面的柵極結構和覆蓋所述柵極結構的柵源極間介質；位于所述第二導電類型碳化硅半導體基底另一表面的漏極電極；位于所述第二導電類型碳化硅半導體基底有源區內且位于柵極結構兩側的第一導電類型注入基區、第二類導電型注入源區和第一導電類型重注入體區，所述第一導電類型注入基區包圍所述第二類導電型注入源區，所述第一導電類型注入基區和第二類導電型注入源區作為用于形成所述碳化硅MOSFET溝道的溝道注入區，第一導電類型重注入體區位于所述溝道注入區的底部；所述第一導電類型注入基區位于第二類導電型注入源區和第二導電類型碳化硅半導體基底之間且靠近柵極結構的位置作為碳化硅MOSFET的溝道；所述終端區的結構包括：若干條環狀的位于所述第二導電類型碳化硅半導體基底終端區內的第一導電類型終端注入區、第二導電類型終端注入區和第一導電類型終端重注入區；環狀的第一導電類型終端注入區包圍所述第二導電類型終端注入區，所述第一導電類型終端注入區和第二導電類型終端注入區作為結終端注入區，所述第一導電類型終端重注入區位于結終端注入區的底部；結終端注入區與溝道注入區采用相同的掩蔽層刻蝕和離子注入工藝同時形成；所述第一導電類型重注入體區與第一導電類型終端重注入區同時形成；當所述SiC功率器件元胞結構為碳化硅MOSFET，所述碳化硅MOSFET的具體結構包括：位于所述第二導電類型碳化硅半導體基底有源區第一表面的柵極結構和覆蓋所述柵極結構的柵源極間介質；位于所述第二導電類型碳化硅半導體基底另一表面的漏極電極；位于所述第二導電類型碳化硅半導體基底有源區內且位于柵極結構兩側的第一導電類型注入基區和第二類導電型注入源區，所述第一導電類型注入基區包圍所述第二類導電型注入源區，所述第一導電類型注入基區和第二類導電型注入源區作為用于形成所述碳化硅MOSFET溝道的溝道注入區，所述第一導電類型注入基區位于第二類導電型注入源區和第二導電類型碳化硅半導體基底之間且靠近柵極結構的位置作為碳化硅MOSFET的溝道，所述溝道注入區與終端區的結終端注入區采用相同的掩蔽層刻蝕和離子注入工藝同時形成；位于所述第二類導電型注入源區表面的源極電極。

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