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龍圖騰網恭喜中國科學院微電子研究所申請的專利SOT-MRAM存儲單元及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113690366B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110945619.X，技術領域涉及：H10N52/80；該發明授權SOT-MRAM存儲單元及其制備方法是由楊美音;羅軍設計研發完成，并于2021-08-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本SOT-MRAM存儲單元及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種SOT?MRAM存儲單元及其制備方法，該SOT?MRAM存儲單元包括：磁性隧道結，包括從下至上依次層疊的自由層、勢壘層和參考層，自由層具有方向可變的垂直磁化，參考層具有方向固定的垂直磁化；位于磁性隧道結下方的自旋軌道耦合層，與自由層接觸，自旋軌道耦合層用于產生自旋軌道矩，以使自由層磁化翻轉；位于自旋軌道耦合層上方且環繞于磁性隧道結四周側壁的鐵磁層，鐵磁層為面內水平磁化，磁化方向平行于自旋軌道耦合層中通過的寫電流方向，以對磁性隧道結產生一個水平磁場。本發明能夠在無外加磁場的條件下，利用自旋軌道矩實現自由層確定性的磁化翻轉。

本發明授權SOT-MRAM存儲單元及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種SOT-MRAM存儲單元的制備方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上沉積形成自旋軌道耦合層；在所述自旋軌道耦合層上形成磁性隧道結，所述磁性隧道結包括從下至上依次層疊的自由層、勢壘層和參考層，所述自由層具有方向可變的垂直磁化，所述參考層具有方向固定的垂直磁化；在所述自旋軌道耦合層表面以及所述磁性隧道結表面依次共形地沉積形成絕緣介質層、鐵磁層、反鐵磁層和保護層；利用各向異性刻蝕工藝對所述保護層、所述反鐵磁層和所述鐵磁層進行刻蝕，直至在所述絕緣介質層的四周側壁形成從內向外依次包括鐵磁層反鐵磁層保護層的環狀層疊結構，所述環狀層疊結構的高度小于所述磁性隧道結的高度；在真空條件下進行磁場退火，使得所述鐵磁層的磁化方向為水平方向且平行于所述自旋軌道耦合層中在寫數據時通過的寫電流方向。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。