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龍圖騰網恭喜芝浦機械電子裝置株式會社申請的專利成膜裝置及成膜方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116057669B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180055657.6，技術領域涉及：C23C14/06；該發明授權成膜裝置及成膜方法是由松中繁樹;藤田篤史設計研發完成，并于2021-09-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本成膜裝置及成膜方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種能夠以高生產率形成GaN膜的成膜裝置及成膜方法。實施方式的成膜裝置1包括：腔室20，能夠使內部為真空；旋轉臺31，設置于腔室20內，保持工件10，以圓周的軌跡循環搬送工件10；GaN成膜處理部40A，具有包含含有GaN的成膜材料的靶、及將導入至所述靶與所述旋轉臺之間的濺射氣體G1等離子體化的等離子體產生器，通過濺射使含有GaN及Ga的成膜材料的粒子堆積于由旋轉臺31循環搬送的工件10；以及氮化處理部50，使在GaN成膜處理部40A中堆積的成膜材料的粒子在由旋轉臺31循環搬送的工件10氮化。

本發明授權成膜裝置及成膜方法在權利要求書中公布了：1.一種成膜裝置，其特征在于，包括：腔室，能夠使內部為真空；旋轉臺，設置于所述腔室內，保持工件，以圓周的軌跡循環搬送所述工件；GaN成膜處理部，具有包含含有GaN的成膜材料的靶、及將導入至所述靶與所述旋轉臺之間的濺射氣體等離子體化的等離子體產生器，通過濺射使含有GaN的成膜材料的粒子堆積于由所述旋轉臺循環搬送的所述工件；氮化處理部，使在所述GaN成膜處理部中堆積在由所述旋轉臺循環搬送的所述工件的所述成膜材料的粒子氮化；以及雜質添加處理部，具有包含含有p型雜質或n型雜質的成膜材料的靶、及將導入至所述包含含有p型雜質或n型雜質的成膜材料的靶與所述旋轉臺之間的濺射氣體等離子體化的等離子體產生器，通過濺射向于所述GaN成膜處理部中堆積于所述工件的含有GaN的成膜材料的粒子中添加n型雜質或p型雜質，所述GaN成膜處理部、所述氮化處理部及所述雜質添加處理部配置于所述循環搬送的路徑上，所述旋轉臺使所述工件依次重復穿過所述GaN成膜處理部、所述氮化處理部及所述雜質添加處理部，由此以重復GaN膜的成膜、氮化及雜質添加的方式進行搬送，從而在所述工件形成規定的層疊數的包含所述n型雜質或所述p型雜質的GaN膜。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人芝浦機械電子裝置株式會社，其通訊地址為：日本神奈川縣橫浜市榮區笠間二丁目5番1號(郵遞區號:247-8610)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。