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龍圖騰網恭喜天津大學申請的專利一種基于柔性襯底的兩級低噪聲放大器及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114499422B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210045871.X，技術領域涉及：H03F3/195；該發明授權一種基于柔性襯底的兩級低噪聲放大器及其制作方法是由秦國軒;胡開龍設計研發完成，并于2022-01-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于柔性襯底的兩級低噪聲放大器及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于柔性PET襯底的兩級低噪聲放大器及其制作方法，該電路拓撲結構包括六個電感即第一電感L1、第二電感L2、第三電感L3、第四電感L4、第五電感L5和第六電感L6、三個電容即第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、兩個晶體管即第一晶體管T1、第二晶體管T2以及若干互聯線。與現有技術相比，與現有技術相比，本發明具有設計性能優秀、模型準確、實際電路受寄生等非理想特性影響小的優點。

本發明授權一種基于柔性襯底的兩級低噪聲放大器及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種基于柔性PET襯底的兩級低噪聲放大器，其特征在于，該低噪聲放大器電路拓撲結構包括六個電感即第一電感L1、第二電感L2、第三電感L3、第四電感L4、第五電感L5和第六電感L6、三個電容即第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、兩個晶體管即第一晶體管T1、第二晶體管T2以及若干互聯線；其中，第一電感L1、第二電感L2以及第一電容C1構成T型輸入匹配網絡，第四電感L4和第二C2構成了級間匹配網絡，第六電感L6和第三電容C3構成了輸出L型匹配網絡，第三電感L3與電感L5分別對第一晶體管T1、第二晶體管T2起到負反饋作用，保證電路穩定性；所述基于柔性PET襯底的兩級低噪聲放大器依照以下過程制作而成：步驟一：使用ADS射頻電路仿真軟件生成低噪聲放大器電路拓撲結構；步驟二、在ADS射頻電路中對電容\電感值進行優化；步驟三、繪制掩膜板，在柔性PET襯底上分別制作出離子注入區、孔層區、頂部金屬層以及電容、電感區；步驟四、首先通過高濃度的磷離子注入在絕緣襯底上的硅SOI上，以形成源極和漏極區域，隨后對其進行退火以獲得更高的遷移率和更低的內阻有助于實現更高的頻率響應；步驟五、然后對SOI上的頂層硅進行圖形化為寬約45μm的硅條，并使用氫氟酸對SOI上的埋氧犧牲層進行腐蝕直到被49%濃度的氫氟酸完全腐蝕掉；使用濕法轉移技術將硅條轉移到250μm的聚對PET襯底上，轉移率大于99%；隨后在柵區域使用真空電子束蒸發法分別生長電介質層SiO的柵介質層TiAu的柵極；最后在源漏區域生長出源極、漏極，以形成柔性薄膜晶體管；步驟六、在PET襯底上使用電子束蒸發法淀積并光刻出30nm400nm厚的TiAu金屬層M1，在制造過程中螺旋電感與金屬-絕緣體-金屬MIM電容的底層金屬層M1制造過程完全兼容，并用作MIM電容的底部電極和螺旋電感的引線；步驟七、在室溫條件下用真空電子束蒸發了厚度為200nm的電介質層SiO，之后在電介質層SiO上蒸發淀積出另一層30nm400nm厚TiAu金屬作為MIM電容器的上極板層M2；步驟八、在上極板層M2上旋涂一層SU-8作為底層金屬與頂層金屬的層間介質以形成MIM電容器，電感器形成引線層M1后在再次旋涂一層介質層，并對其曝光用于連接引線層M1與頂層通孔，然后在紫外線照射和115℃下使其固化；步驟九、用電子束蒸發的方式生長一層30nm1.5μm厚的TiAu作為頂層的金屬層M3。

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