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龍圖騰網(wǎng)恭喜天津大學(xué)申請(qǐng)的專(zhuān)利一種基于柔性襯底的兩級(jí)低噪聲放大器及其制作方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114499422B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202210045871.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H03F3/195；該發(fā)明授權(quán)一種基于柔性襯底的兩級(jí)低噪聲放大器及其制作方法是由秦國(guó)軒;胡開(kāi)龍?jiān)O(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-01-17向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本一種基于柔性襯底的兩級(jí)低噪聲放大器及其制作方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)了一種基于柔性PET襯底的兩級(jí)低噪聲放大器及其制作方法，該電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包括六個(gè)電感即第一電感L1、第二電感L2、第三電感L3、第四電感L4、第五電感L5和第六電感L6、三個(gè)電容即第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、兩個(gè)晶體管即第一晶體管T1、第二晶體管T2以及若干互聯(lián)線(xiàn)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有設(shè)計(jì)性能優(yōu)秀、模型準(zhǔn)確、實(shí)際電路受寄生等非理想特性影響小的優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明授權(quán)一種基于柔性襯底的兩級(jí)低噪聲放大器及其制作方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種基于柔性PET襯底的兩級(jí)低噪聲放大器，其特征在于，該低噪聲放大器電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包括六個(gè)電感即第一電感L1、第二電感L2、第三電感L3、第四電感L4、第五電感L5和第六電感L6、三個(gè)電容即第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、兩個(gè)晶體管即第一晶體管T1、第二晶體管T2以及若干互聯(lián)線(xiàn)；其中，第一電感L1、第二電感L2以及第一電容C1構(gòu)成T型輸入匹配網(wǎng)絡(luò)，第四電感L4和第二C2構(gòu)成了級(jí)間匹配網(wǎng)絡(luò)，第六電感L6和第三電容C3構(gòu)成了輸出L型匹配網(wǎng)絡(luò)，第三電感L3與電感L5分別對(duì)第一晶體管T1、第二晶體管T2起到負(fù)反饋?zhàn)饔茫ＷC電路穩(wěn)定性；所述基于柔性PET襯底的兩級(jí)低噪聲放大器依照以下過(guò)程制作而成：步驟一：使用ADS射頻電路仿真軟件生成低噪聲放大器電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)；步驟二、在ADS射頻電路中對(duì)電容\電感值進(jìn)行優(yōu)化；步驟三、繪制掩膜板，在柔性PET襯底上分別制作出離子注入?yún)^(qū)、孔層區(qū)、頂部金屬層以及電容、電感區(qū)；步驟四、首先通過(guò)高濃度的磷離子注入在絕緣襯底上的硅SOI上，以形成源極和漏極區(qū)域，隨后對(duì)其進(jìn)行退火以獲得更高的遷移率和更低的內(nèi)阻有助于實(shí)現(xiàn)更高的頻率響應(yīng)；步驟五、然后對(duì)SOI上的頂層硅進(jìn)行圖形化為寬約45μm的硅條，并使用氫氟酸對(duì)SOI上的埋氧犧牲層進(jìn)行腐蝕直到被49%濃度的氫氟酸完全腐蝕掉；使用濕法轉(zhuǎn)移技術(shù)將硅條轉(zhuǎn)移到250μm的聚對(duì)PET襯底上，轉(zhuǎn)移率大于99%；隨后在柵區(qū)域使用真空電子束蒸發(fā)法分別生長(zhǎng)電介質(zhì)層SiO的柵介質(zhì)層TiAu的柵極；最后在源漏區(qū)域生長(zhǎng)出源極、漏極，以形成柔性薄膜晶體管；步驟六、在PET襯底上使用電子束蒸發(fā)法淀積并光刻出30nm400nm厚的TiAu金屬層M1，在制造過(guò)程中螺旋電感與金屬-絕緣體-金屬M(fèi)IM電容的底層金屬層M1制造過(guò)程完全兼容，并用作MIM電容的底部電極和螺旋電感的引線(xiàn)；步驟七、在室溫條件下用真空電子束蒸發(fā)了厚度為200nm的電介質(zhì)層SiO，之后在電介質(zhì)層SiO上蒸發(fā)淀積出另一層30nm400nm厚TiAu金屬作為MIM電容器的上極板層M2；步驟八、在上極板層M2上旋涂一層SU-8作為底層金屬與頂層金屬的層間介質(zhì)以形成MIM電容器，電感器形成引線(xiàn)層M1后在再次旋涂一層介質(zhì)層，并對(duì)其曝光用于連接引線(xiàn)層M1與頂層通孔，然后在紫外線(xiàn)照射和115℃下使其固化；步驟九、用電子束蒸發(fā)的方式生長(zhǎng)一層30nm1.5μm厚的TiAu作為頂層的金屬層M3。

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