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龍圖騰網恭喜華南理工大學申請的專利一種高性能的有源低通濾波器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114826204B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210068240.X，技術領域涉及：H03H11/04；該發明授權一種高性能的有源低通濾波器是由鄭文鍇;李俊;陳志堅;王彥杰設計研發完成，并于2022-01-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高性能的有源低通濾波器在說明書摘要公布了：本發明公開了一種高性能的有源低通濾波器，涉及高頻通信前端設備，針對現有技術中存在阻帶抑制較弱、穩定性差、帶寬不足等缺點提出本方案。設置第一MOS電容和第二MOS電容；第一MOS電容用于抵消P路濾波單元的信號輸入端與自身信號輸出端之間的寄生電容；第二MOS電容用于抵消N路濾波單元的信號輸入端與自身信號輸出端之間的寄生電容。優點在于，使用MOS電容做反饋回路，抵消了該電路的主零點，提高了濾波器帶外抑制，增加電路穩定性；并對低通濾波器輔以合理的優化設計，最終使低通濾波器的工作帶寬可以達到100MHz到5.1GHz，擁有良好的帶外抑制和穩定的濾波效果。

本發明授權一種高性能的有源低通濾波器在權利要求書中公布了：1.一種高性能的有源低通濾波器，包括結構相同的P路濾波單元S1和N路濾波單元S2，兩路濾波單元的輸入互為差分輸入；其特征在于，還設置第一MOS電容MC1和第二MOS電容MC2；所述的第一MOS電容MC1襯底端連接P路濾波單元S1的信號輸出端，門極端連接N路濾波單元S2的信號輸入端，所述的第一MOS電容MC1用于抵消P路濾波單元S1的信號輸入端與自身信號輸出端之間的寄生電容；所述的第二MOS電容MC2襯底端連接N路濾波單元S2的信號輸出端，門極端連接P路濾波單元S1的信號輸入端，所述的第二MOS電容MC2用于抵消N路濾波單元S2的信號輸入端與自身信號輸出端之間的寄生電容；設有共模反饋單元S4；所述的P路濾波單元S1包括P路第一MOS管M1P、P路第二MOS管M2P、P路第一電容陣列C1P和P路第二電容陣列C2P；P路第一MOS管M1P漏極連接共模反饋單元S4的P路共模輸入信號VxP，P路第一MOS管M1P源極作為信號輸出端，P路第一MOS管M1P柵極作為信號輸入端；P路第二MOS管M2P漏極連接P路第一MOS管M1P源極，P路第二MOS管M2P源極接地，P路第二MOS管M2P柵極連接P路第一MOS管M1P漏極；P路第一電容陣列C1P并聯在P路第一MOS管M1P的源漏之間，P路第二電容陣列C2P并聯在P路第二MOS管M2P的源漏之間；所述的N路濾波單元S2包括N路第一MOS管M1N、N路第二MOS管M2N、N路第一電容陣列C1N和N路第二電容陣列C2N；N路第一MOS管M1N漏極連接共模反饋單元S4的N路共模輸入信號VxN，N路第一MOS管M1N源極作為信號輸出端，N路第一MOS管M1N柵極作為信號輸入端；N路第二MOS管M2N漏極連接N路第一MOS管M1N源極，N路第二MOS管M2N源極接地，N路第二MOS管M2N柵極連接N路第一MOS管M1N漏極；N路第一電容陣列C1N并聯在N路第一MOS管M1N的源漏之間，N路第二電容陣列C2N并聯在N路第二MOS管M2N的源漏之間。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華南理工大學，其通訊地址為：510641 廣東省廣州市天河區五山路381號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。