恭喜丹東華順電子有限公司葛雷獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜丹東華順電子有限公司申請的專利一種硅的深槽刻蝕方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114477077B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210127595.1，技術領域涉及：B81C1/00；該發明授權一種硅的深槽刻蝕方法是由葛雷;楊小正;傅瑜設計研發完成，并于2022-02-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種硅的深槽刻蝕方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種硅的深槽刻蝕方法，涉及半導體技術領域。本發明包括以下步驟：S1：預熱；S2：調整外部因素；S3：沉積；S4：刻蝕；S5：側壁改善，然后通過第二沉積氣體在刻蝕界面的側壁形成第二保護層，附著在第一保護層的表面；S6：交替循環執行S3、S4、S5直到刻蝕達到預定的深度，且在交替循環過程中，第一沉積氣體和第二沉積氣體的各組分的混合量均隨刻蝕深度的變化而動態調整；S7：結束刻蝕。本發明方法能應用于超高深寬比溝槽結構的刻蝕，通過將一個刻蝕循環分解為沉積、刻蝕以及側壁改善三個子過程，雙重側壁沉積可大大改善側壁的形貌，解決了現有的深槽刻蝕方法加工效率低下，且側壁形貌不夠理想的問題。
本發明授權一種硅的深槽刻蝕方法在權利要求書中公布了：1.一種硅的深槽刻蝕方法，其特征在于：包括以下步驟：S1：預熱，對硅材以及第一沉積氣體、第二沉積氣體、刻蝕氣體均預熱至25～30℃；S2：調整外部因素，控制外部刻蝕環境溫度至25～30℃，外部環境濕度至40％～70％；S3：沉積，通過第一沉積氣體生成第一保護層以對刻蝕側壁進行保護；S4：刻蝕，通過刻蝕氣體對刻蝕底部和刻蝕側壁進行刻蝕；S5：側壁改善，提供第二沉積氣體，并通過超聲設備對第二沉積氣體進行空化作用，然后通過第二沉積氣體在刻蝕界面的側壁形成第二保護層，附著在第一保護層的表面；S6：交替循環執行S3、S4、S5直到刻蝕達到預定的深度，且在交替循環過程中，第一沉積氣體和第二沉積氣體的各組分的混合量均隨刻蝕深度的變化而動態調整；S7：結束刻蝕。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人丹東華順電子有限公司，其通訊地址為：118000 遼寧省丹東市振興區桃源街64號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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