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龍圖騰網恭喜廣東工業大學申請的專利一種NAND閃存動態寫電壓方法及裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115033420B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210790252.3，技術領域涉及：G06F11/10；該發明授權一種NAND閃存動態寫電壓方法及裝置是由方毅;蔡潤彬;史志芳;韓國軍;劉暢設計研發完成，并于2022-07-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種NAND閃存動態寫電壓方法及裝置在說明書摘要公布了：本發明涉及數據存儲技術領域，尤其涉及一種NAND閃存動態寫電壓方法及裝置，本發明公開了一種NAND閃存動態寫電壓方法及裝置，其中方法包括：根據高位信道錯誤率、低位信道錯誤率和LDPC碼估算的最小漢明距離構建代價函數；以所述代價函數的函數值最小為優化目標，所述第一編程電壓和所述第二編程電壓為自變量，對所述代價函數進行凸優化計算，輸出最優第一編程電壓和最優第二編程電壓，解決了現有技術中，當碼字是只存儲在高位比特頁或者低位比特頁時，由于高、低位的信道錯誤率不相等，繼續使用現有寫電壓方法會使總的誤碼率性能變差的技術問題，改善了NAND閃存的總的誤碼率性能。

本發明授權一種NAND閃存動態寫電壓方法及裝置在權利要求書中公布了：1.一種NAND閃存動態寫電壓方法，其特征在于，寫電壓包括第一編程電壓和第二編程電壓，所述方法包括：根據高位信道錯誤率、低位信道錯誤率和LDPC碼估算的最小漢明距離構建代價函數；以所述代價函數的函數值最小為優化目標，所述第一編程電壓和所述第二編程電壓為自變量，對所述代價函數進行凸優化計算，輸出最優第一編程電壓和最優第二編程電壓；所述高位信道錯誤率和所述低位信道錯誤率的計算公式為： ；其中，為高位信道錯誤率，為低位信道錯誤率；為最小寫入電壓的概率密度曲線與第一編程電壓的概率密度曲線的相交點，為第一編程電壓的概率密度曲線與第二編程電壓的概率密度曲線的相交點，為第二編程電壓的概率密度曲線與最大寫入電壓的概率密度曲線的相交點；、、、分別為最小寫入電壓的概率密度曲線、第一編程電壓的概率密度曲線、第二編程電壓的概率密度曲線、最大寫入電壓的概率密度曲線；所述代價函數的表達式為： ；式中，d是LDPC碼估計的最小漢明距離。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廣東工業大學，其通訊地址為：510060 廣東省廣州市越秀區東風東路729號大院；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。