恭喜深圳量旋科技有限公司梁瑩獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜深圳量旋科技有限公司申請的專利一種DMD無掩膜光刻超導(dǎo)量子芯片方法、裝置、系統(tǒng)及介質(zhì)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN115407615B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為:202210892994.7,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G03F7/20;該發(fā)明授權(quán)一種DMD無掩膜光刻超導(dǎo)量子芯片方法、裝置、系統(tǒng)及介質(zhì)是由梁瑩;馮冠儒;項(xiàng)金根;孟鐵軍設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2022-07-27向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種DMD無掩膜光刻超導(dǎo)量子芯片方法、裝置、系統(tǒng)及介質(zhì)在說明書摘要公布了:本發(fā)明屬于芯片制造技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種DMD無掩膜光刻超導(dǎo)量子芯片方法,包括以下步驟:導(dǎo)入芯片版圖,并陣列排布多個(gè)芯片版圖得到切圖文件;基于襯底材料和芯片版圖的尺寸,選取第一曝光時(shí)間范圍,并基于第一曝光時(shí)間范圍,分別為所述切圖文件內(nèi)的芯片版圖指定不同的曝光停留時(shí)間,進(jìn)行第一次曝光和顯影,得到第一組芯片圖形;觀測第一組芯片圖形,判斷曝光效果,優(yōu)化第一曝光時(shí)間范圍得到第二曝光時(shí)間范圍;基于第二曝光時(shí)間范圍,重新為所述切圖文件內(nèi)的芯片版圖指定不同的曝光停留時(shí)間,進(jìn)行第二次曝光和顯影,得到第二組芯片圖形;觀測第二組芯片圖形,判斷曝光效果,確定曝光停留時(shí)間。
本發(fā)明授權(quán)一種DMD無掩膜光刻超導(dǎo)量子芯片方法、裝置、系統(tǒng)及介質(zhì)在權(quán)利要求書中公布了:1.一種DMD無掩膜光刻超導(dǎo)量子芯片方法,其特征在于,包括以下步驟:導(dǎo)入芯片版圖,并陣列排布多個(gè)芯片版圖得到切圖文件;基于襯底材料和芯片版圖的尺寸,選取第一曝光時(shí)間范圍,并基于第一曝光時(shí)間范圍,分別為所述切圖文件內(nèi)的芯片版圖指定不同的曝光停留時(shí)間,進(jìn)行第一次曝光和顯影,得到第一組芯片圖形;觀測第一組芯片圖形,判斷曝光效果,優(yōu)化第一曝光時(shí)間范圍得到第二曝光時(shí)間范圍;基于第二曝光時(shí)間范圍,重新為所述切圖文件內(nèi)的芯片版圖指定不同的曝光停留時(shí)間,進(jìn)行第二次曝光和顯影,得到第二組芯片圖形;觀測第二組芯片圖形,判斷曝光效果,確定曝光停留時(shí)間。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人深圳量旋科技有限公司,其通訊地址為:518000 廣東省深圳市福田區(qū)福保街道福保社區(qū)市花路創(chuàng)凌通科技大廈A座五層508-509室;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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