恭喜西安奕斯偉材料科技股份有限公司張舸獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜西安奕斯偉材料科技股份有限公司申請的專利硅片雙面拋光裝置的承載件及硅片雙面拋光裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115816267B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211718365.9，技術領域涉及：B24B29/02；該發明授權硅片雙面拋光裝置的承載件及硅片雙面拋光裝置是由張舸設計研發完成，并于2022-12-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本硅片雙面拋光裝置的承載件及硅片雙面拋光裝置在說明書摘要公布了：本發明實施例公開了一種硅片雙面拋光裝置的承載件及硅片雙面拋光裝置，所述承載件包括：形成有通孔的本體；襯入在所述本體的通孔中的環狀的內襯，所述內襯用于容置硅片，其中，所述內襯形成有導流通道，使得聚集在所述硅片的外周面與所述內襯的內周面之間的間隙中的拋光液能夠經由所述導流通道排出。能夠降低硅片的周緣處的拋光程度，從而減小硅片的周緣處與中央處的拋光程度之間的差異，改善硅片表面平坦度。
本發明授權硅片雙面拋光裝置的承載件及硅片雙面拋光裝置在權利要求書中公布了：1.一種硅片雙面拋光裝置的承載件，其特征在于，所述承載件包括：形成有通孔的本體；襯入在所述本體的通孔中的環狀的內襯，所述內襯用于容置硅片，其中，所述內襯形成有導流通道，使得聚集在所述硅片的外周面與所述內襯的內周面之間的間隙中的拋光液能夠經由所述導流通道排出，使得所述間隙處的拋光液的量減少，由此降低所述硅片的周緣處的拋光程度，改善所述硅片的表面平坦度；以及設置在所述本體與所述內襯之間的緩沖層，其中，所述導流通道的入口形成在所述內襯的底部處，其中，所述導流通道的出口形成在所述內襯的底面上，其中，所述導流通道為從所述內襯的底面凹入的凹槽。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安奕斯偉材料科技股份有限公司，其通訊地址為：710065 陜西省西安市高新區西灃南路1888號1-3-029室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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