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龍圖騰網恭喜中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所申請的專利射頻器件、納米柵極的制備方法及射頻器件的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117878145B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410084715.3，技術領域涉及：H10D64/27；該發明授權射頻器件、納米柵極的制備方法及射頻器件的制造方法是由肖陽;尹立航;洪亦芳;邢娟;鄧旭光;蔡勇設計研發完成，并于2024-01-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本射頻器件、納米柵極的制備方法及射頻器件的制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種射頻器件、納米柵極的制備方法及射頻器件的制造方法。射頻器件包括外延結構以及與所述外延結構匹配的源極、漏極、支撐層和柵極，所述柵極沿第二方向設置在所述源極、所述漏極之間，所述支撐層沿第一方向層疊設置在所述外延結構上，所述柵極包括柵帽和柵根，所述柵帽沿所述第一方向層疊設置在所述支撐層上，所述柵根設置在所述外延結構上且沿第二方向設置在所述支撐層的一側，所述柵根還與所述柵帽連接并形成Γ型結構，所述第一方向和所述第二方向垂直。本發明降低了柵結構制備對設備的要求，通過沉積?刻蝕制備極短柵極，完全不需要電子束光刻技術，國產設備即可滿足生產需求。

本發明授權射頻器件、納米柵極的制備方法及射頻器件的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種射頻器件，包括外延結構以及與所述外延結構匹配的源極、漏極和柵極，所述柵極沿第二方向設置在所述源極、所述漏極之間，其特征在于，還包括：支撐層，所述支撐層沿第一方向層疊設置在所述外延結構上，所述柵極包括柵帽和柵根，所述柵帽沿所述第一方向層疊設置在所述支撐層上，在所述第二方向上，所述柵帽與所述支撐層的寬度相同，所述柵根設置在所述外延結構上且沿第二方向設置在所述支撐層的一側，所述柵根還與所述柵帽連接并形成Г型結構，所述柵帽的材質包括導電的無機非金屬材料、金屬材料、有機材料中的至少一者，所述支撐層是由絕緣的無機非金屬材料、有機材料中的至少一者形成的單層結構層或多層結構層，所述第一方向和所述第二方向垂直；所述柵極的制備方法包括：在具有所述外延結構的晶圓的表面形成支撐層，并在所述支撐層上形成柵帽；在所述晶圓的表面形成第二掩膜，且使所述支撐層、所述柵帽整體被所述第二掩膜覆蓋，除去所述第二掩膜的一部分，形成圖形化的第二掩膜，至少使所述柵帽的第一側壁、所述支撐層的第二側壁露出，所述第一側壁和所述第二側壁位于同一側；在所述第二掩膜的表面以及所述柵帽的第一側壁、所述支撐層的第二側壁形成柵根材料，除去除位于所述柵帽的第一側壁、所述支撐層的第二側壁之外的柵根材料，余留的柵根材料形成柵根，所述柵根與所述柵帽電連接，并形成柵極。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市工業園區獨墅湖高教區若水路398號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。