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龍圖騰網(wǎng)恭喜湖南大學(xué)申請(qǐng)的專利考慮驅(qū)動(dòng)電壓主動(dòng)調(diào)節(jié)的混合器件結(jié)溫波動(dòng)平滑控制方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN118157444B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202410237806.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02M1/08；該發(fā)明授權(quán)考慮驅(qū)動(dòng)電壓主動(dòng)調(diào)節(jié)的混合器件結(jié)溫波動(dòng)平滑控制方法是由龍柳;肖凡;涂春鳴;白丹;郭祺;肖標(biāo);韓碩設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-03-01向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本考慮驅(qū)動(dòng)電壓主動(dòng)調(diào)節(jié)的混合器件結(jié)溫波動(dòng)平滑控制方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種考慮驅(qū)動(dòng)電壓主動(dòng)調(diào)節(jié)的混合器件結(jié)溫波動(dòng)平滑控制方法，包括以下步驟：步驟S1、設(shè)置負(fù)載電流后，通過損耗模型計(jì)算實(shí)際所給范圍內(nèi)不同驅(qū)動(dòng)電壓下的MOSFET與IGBT損耗；步驟S2、以負(fù)載電流有效值作為限制條件，判斷變流器工況屬于輕載或是重載；步驟S3、根據(jù)判定的負(fù)載工況進(jìn)行驅(qū)動(dòng)電壓的主動(dòng)調(diào)節(jié)：若為輕載，則使SiCMOSFET、SiIGBT的實(shí)際驅(qū)動(dòng)電壓等于使混合器件損耗最大化的驅(qū)動(dòng)電壓，若為重載，SiCMOSFET、SiIGBT的實(shí)際驅(qū)動(dòng)電壓等于使混合器件損耗最小化的驅(qū)動(dòng)電壓。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)減小混合器件在負(fù)載變化時(shí)的結(jié)溫波動(dòng)并降低器件總損耗。

本發(fā)明授權(quán)考慮驅(qū)動(dòng)電壓主動(dòng)調(diào)節(jié)的混合器件結(jié)溫波動(dòng)平滑控制方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種考慮驅(qū)動(dòng)電壓主動(dòng)調(diào)節(jié)的混合器件結(jié)溫波動(dòng)平滑控制方法，其特征在于，包括以下步驟：步驟S1、設(shè)置負(fù)載電流后，通過損耗模型計(jì)算實(shí)際所給范圍內(nèi)不同驅(qū)動(dòng)電壓下的MOSFET與IGBT損耗，確定使MOSFET損耗最大化與最小化的驅(qū)動(dòng)電壓模式，記使混合器件損耗最大化的驅(qū)動(dòng)電壓模式為：VGM＝Vloss_max_MOS、VGT＝Vloss_max_IGBT，損耗最小化為VGM＝Vloss_min_MOS、VGT＝Vloss_min_IGBT，并通過熱網(wǎng)絡(luò)模型得到對(duì)應(yīng)的器件穩(wěn)態(tài)結(jié)溫；步驟S2、以負(fù)載電流有效值作為限制條件，判斷變流器工況屬于輕載或是重載；步驟S3、根據(jù)判定的負(fù)載工況進(jìn)行驅(qū)動(dòng)電壓的主動(dòng)調(diào)節(jié)：若為輕載，則采用VGM＝Vloss_max_MOS、VGT＝Vloss_max_IGBT模式使SiCMOSFET損耗最高，達(dá)到抬升SiCMOSFET結(jié)溫的目標(biāo)；若為重載，則采用VGM＝Vloss_min_MOS、VGT＝Vloss_min_IGBT模式以最小化SiCMOSFET損耗來降低其結(jié)溫；式中，VGM、VGT分別為SiCMOSFET、SiIGBT的實(shí)際驅(qū)動(dòng)電壓；Vloss_max_MOS、Vloss_max_IGBT分別為使混合器件中SiCMOSFET、SiIGBT損耗最大化的驅(qū)動(dòng)電壓，Vloss_min_MOS、Vloss_min_IGBT分別為使混合器件中SiCMOSFET、SiIGBT損耗最小化的驅(qū)動(dòng)電壓。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人湖南大學(xué)，其通訊地址為：410082 湖南省長(zhǎng)沙市岳麓區(qū)麓山南路麓山門；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。