亮銳有限責(zé)任公司R·阿米塔奇獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉亮銳有限責(zé)任公司申請的專利III族氮化物多波長LED陣列獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN114788005B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202080089617.9,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10H29/30;該發(fā)明授權(quán)III族氮化物多波長LED陣列是由R·阿米塔奇;I·維爾德森設(shè)計研發(fā)完成,并于2020-12-03向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本III族氮化物多波長LED陣列在說明書摘要公布了:一種LED陣列包括第一臺面,該第一臺面包括頂表面、至少一個第一LED、和隧道結(jié),至少一個第一LED包括第一p型層、第一n型層和第一顏色有源區(qū),隧道結(jié)在第一LED上,第二n型層在隧道結(jié)上。該LED陣列還包括相鄰臺面,該相鄰臺面包括頂表面、第一LED、第二LED,第二LED包括第二n型層、第二p型層和第二顏色有源區(qū)。第一溝槽將第一臺面和相鄰臺面分隔,陰極金屬化在第一溝槽中并與相鄰臺面的第一和第二顏色有源區(qū)電接觸,并且陽極金屬化觸點在第一臺面的n型層上和相鄰臺面的陽極層上。該器件及其制造方法包括薄膜晶體管(TFT)。
本發(fā)明授權(quán)III族氮化物多波長LED陣列在權(quán)利要求書中公布了:1.一種發(fā)光二極管LED陣列,包括: 第一臺面,所述第一臺面包括頂表面、至少一個第一LED、和第一隧道結(jié),所述至少一個第一LED包括第一p型層、第一n型層和第一顏色有源區(qū),所述第一隧道結(jié)在第一LED上,所述第一臺面的頂表面包括在所述第一隧道結(jié)上的第二n型層; 相鄰臺面,所述相鄰臺面包括頂表面、第一LED、第二LED,所述第二LED包括第二n型層、第二p型層和第二顏色有源區(qū); 在所述相鄰臺面的第二LED上的第二隧道結(jié),以及在所述相鄰臺面的第二隧道結(jié)上的第三n型層; 第一溝槽,其分隔所述第一臺面和所述相鄰臺面; 在所述第一臺面的第二n型層上并且在所述相鄰臺面的頂表面上的陽極金屬化觸點; 在所述相鄰臺面的n型層上的第三顏色有源區(qū),并且所述相鄰臺面包括包含第三p型層的頂表面; 第三臺面,其包括第一LED、第二LED、第二隧道結(jié)、和在第二隧道結(jié)上的第三n型層; 第二溝槽,其分隔所述相鄰臺面和所述第三臺面; 在第一溝槽中經(jīng)由第一溝槽中的陰極金屬化層與所述第一臺面的第一n型層直接電接觸的陰極金屬化; 在第二溝槽中經(jīng)由第二溝槽中的陰極金屬化層與所述第三臺面的第一n型層和第二n型層直接電接觸的陰極金屬化; 在第一溝槽中經(jīng)由第一溝槽中的陰極金屬化層與所述相鄰臺面的第一n型層、第二n型層和第三n型層直接電接觸的陰極金屬化;和 在所述第三臺面的第三n型層上的陽極金屬化觸點。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人亮銳有限責(zé)任公司,其通訊地址為:美國加利福尼亞州;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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