臺灣積體電路制造股份有限公司游家齊獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利制造半導體器件的方法和半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113130395B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011606619.9，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權制造半導體器件的方法和半導體器件是由游家齊;謝瑞夫;林侑立;廖志騰;陳臆仁設計研發完成，并于2020-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本制造半導體器件的方法和半導體器件在說明書摘要公布了：在方法中，在半導體鰭上方形成第一介電層，在第一介電層上方形成第二介電層，使第二介電層凹進至每個半導體的頂部之下，在凹進的第二介電層上方形成第三介電層，使第三介電層凹進至半導體鰭的頂部之下，從而形成壁鰭。壁鰭包括凹進的第三介電層和設置在凹進的第三介電層下方的凹進的第二介電層，使第一介電層凹進至壁鰭的頂部之下，形成鰭襯墊層，使鰭襯墊層凹進并且使半導體鰭凹進，以及分別在凹進的半導體鰭上方形成源極漏極外延層。源極漏極外延層通過壁鰭彼此分隔開。本申請的實施例還涉及制造半導體器件的方法和半導體器件。
本發明授權制造半導體器件的方法和半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括： 在設置在半導體襯底上方的半導體鰭上方形成第一介電層，所述第一介電層形成的間隔將相鄰的所述半導體鰭間隔開； 在所述第一介電層上方形成第二介電層； 使所述第二介電層凹進至每個半導體的頂部之下并填充在所述間隔內； 在凹進的第二介電層上方形成第三介電層； 使所述第三介電層凹進至每個半導體鰭的頂部之下并填充在所述間隔內，從而形成設置在所述半導體鰭之間的壁鰭，所述壁鰭包括凹進的第三介電層和設置在所述凹進的第三介電層下方的所述凹進的第二介電層，其中，在所述間隔內，所述第二介電層的側壁、所述第三介電層的側壁與所述間隔的內壁直接接觸并共面； 使所述第一介電層凹進至所述壁鰭的頂部之下； 在每個半導體鰭的上部和所述壁鰭的上部上方形成鰭襯墊層，所述壁鰭從凹進的第一介電層突出； 蝕刻所述鰭襯墊層并且使所述半導體鰭凹進；以及 分別在凹進的半導體鰭上方形成源極漏極外延層， 其中，所述源極漏極外延層通過所述壁鰭彼此分隔開。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號