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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利制造半導(dǎo)體器件的方法和半導(dǎo)體器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113130395B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011606619.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/03；該發(fā)明授權(quán)制造半導(dǎo)體器件的方法和半導(dǎo)體器件是由游家齊;謝瑞夫;林侑立;廖志騰;陳臆仁設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-12-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本制造半導(dǎo)體器件的方法和半導(dǎo)體器件在說明書摘要公布了：在方法中，在半導(dǎo)體鰭上方形成第一介電層，在第一介電層上方形成第二介電層，使第二介電層凹進至每個半導(dǎo)體的頂部之下，在凹進的第二介電層上方形成第三介電層，使第三介電層凹進至半導(dǎo)體鰭的頂部之下，從而形成壁鰭。壁鰭包括凹進的第三介電層和設(shè)置在凹進的第三介電層下方的凹進的第二介電層，使第一介電層凹進至壁鰭的頂部之下，形成鰭襯墊層，使鰭襯墊層凹進并且使半導(dǎo)體鰭凹進，以及分別在凹進的半導(dǎo)體鰭上方形成源極漏極外延層。源極漏極外延層通過壁鰭彼此分隔開。本申請的實施例還涉及制造半導(dǎo)體器件的方法和半導(dǎo)體器件。

本發(fā)明授權(quán)制造半導(dǎo)體器件的方法和半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括： 在設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上方的半導(dǎo)體鰭上方形成第一介電層，所述第一介電層形成的間隔將相鄰的所述半導(dǎo)體鰭間隔開； 在所述第一介電層上方形成第二介電層； 使所述第二介電層凹進至每個半導(dǎo)體的頂部之下并填充在所述間隔內(nèi)； 在凹進的第二介電層上方形成第三介電層； 使所述第三介電層凹進至每個半導(dǎo)體鰭的頂部之下并填充在所述間隔內(nèi)，從而形成設(shè)置在所述半導(dǎo)體鰭之間的壁鰭，所述壁鰭包括凹進的第三介電層和設(shè)置在所述凹進的第三介電層下方的所述凹進的第二介電層，其中，在所述間隔內(nèi)，所述第二介電層的側(cè)壁、所述第三介電層的側(cè)壁與所述間隔的內(nèi)壁直接接觸并共面； 使所述第一介電層凹進至所述壁鰭的頂部之下； 在每個半導(dǎo)體鰭的上部和所述壁鰭的上部上方形成鰭襯墊層，所述壁鰭從凹進的第一介電層突出； 蝕刻所述鰭襯墊層并且使所述半導(dǎo)體鰭凹進；以及 分別在凹進的半導(dǎo)體鰭上方形成源極漏極外延層， 其中，所述源極漏極外延層通過所述壁鰭彼此分隔開。

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