中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司李其衡獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司申請的專利用于監測處理單元性能的檢測晶圓選擇方法和涂膠顯影機獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114755896B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110023981.1,技術領域涉及:G03F7/30;該發明授權用于監測處理單元性能的檢測晶圓選擇方法和涂膠顯影機是由李其衡;丁明正;賀曉彬;劉強;劉金彪;周娜設計研發完成,并于2021-01-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于監測處理單元性能的檢測晶圓選擇方法和涂膠顯影機在說明書摘要公布了:本發明涉及一種用于監測處理單元性能的檢測晶圓選擇方法和涂膠顯影機。用于檢測處理單元性能的晶圓選擇包括:獲取與待處理晶圓對應的處理單元類型以及每類處理單元的數量,確定處理組合;根據處理組合的數量,確定每批待處理晶圓對應的待檢測晶圓數量;將待處理晶圓按批次依次輸送進涂膠顯影機進行處理;獲取每一批次晶圓對應的記錄表;根據記錄表和每批待處理晶圓對應的待檢測晶圓數量,從每一批次晶圓中確定對應數量的經過不同處理組合的晶圓作為待檢測晶圓。能夠在對最少的晶圓進行檢測的情況下,清楚的獲取每個處理單元的處理效果,避免重復測量和漏測量,從而提高對處理單元進行監測的效率,降低漏測量的處理單元對產品的不良影響。
本發明授權用于監測處理單元性能的檢測晶圓選擇方法和涂膠顯影機在權利要求書中公布了:1.一種用于監測處理單元性能的檢測晶圓選擇方法,其特征在于,包括: 獲取與待處理晶圓對應的處理單元類型以及每類處理單元的數量,確定處理組合; 根據所述處理組合的數量,確定每批待處理晶圓對應的待檢測晶圓數量; 將所述待處理晶圓按批次依次輸送進涂膠顯影機進行處理; 獲取每一批次晶圓對應的記錄表; 根據所述記錄表和每批所述待處理晶圓對應的待檢測晶圓數量,從每一批次晶圓中確定對應數量的經過不同處理組合的所述晶圓作為所述待檢測晶圓; 所述根據所述處理組合的數量,確定每批待處理晶圓對應的待檢測晶圓數量,包括: 將所述處理組合的數量作為待測量晶圓的總數量; 根據所述待處理晶圓的總批次和所述總數量,確定每批待處理晶圓對應的待檢測晶圓數量; 在所述根據所述待處理晶圓的總批次和所述總數量,確定每批待處理晶圓對應的待檢測晶圓數量之前,還包括: 若存在預設數量,則將所述預設數量作為待測量晶圓的總數量,其中,所述預設數量大于所述處理組合的數量; 所述根據所述記錄表和每批所述待處理晶圓對應的待檢測晶圓數量,從每一批次晶圓中確定對應數量的經過不同處理組合的所述晶圓作為所述待檢測晶圓,包括: 若不存在所述預設數量,或所述預設數量等于所述處理組合的數量,則根據所述記錄表和每批所述待處理晶圓對應的待檢測晶圓數量,依次從每一批中確定對應數量的經過不同處理組合的所述晶圓作為所述待檢測晶圓,其中,每一批中的所述待檢測晶圓使用的處理組合唯一; 所述根據所述記錄表和每批所述待處理晶圓對應的待檢測晶圓數量,從每一批次晶圓中確定對應數量的經過不同處理組合的所述晶圓作為所述待檢測晶圓,還包括: 若所述預設數量大于所述處理組合的數量,則根據所述記錄表和每批所述待處理晶圓對應的待檢測晶圓數量,依次從每一批中確定對應數量的經過不同處理組合的所述晶圓作為所述待檢測晶圓,其中,每一批中的所述待檢測晶圓使用的處理組合不唯一,且各待檢測晶圓使用的處理組合包括所有所述處理組合。
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