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中國科學(xué)院微電子研究所;真芯(北京)半導(dǎo)體有限責(zé)任公司李其衡獲國家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學(xué)院微電子研究所;真芯(北京)半導(dǎo)體有限責(zé)任公司申請的專利用于監(jiān)測處理單元性能的檢測晶圓選擇方法和涂膠顯影機(jī)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN114755896B

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202110023981.1,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G03F7/30;該發(fā)明授權(quán)用于監(jiān)測處理單元性能的檢測晶圓選擇方法和涂膠顯影機(jī)是由李其衡;丁明正;賀曉彬;劉強(qiáng);劉金彪;周娜設(shè)計研發(fā)完成,并于2021-01-08向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

用于監(jiān)測處理單元性能的檢測晶圓選擇方法和涂膠顯影機(jī)在說明書摘要公布了:本發(fā)明涉及一種用于監(jiān)測處理單元性能的檢測晶圓選擇方法和涂膠顯影機(jī)。用于檢測處理單元性能的晶圓選擇包括:獲取與待處理晶圓對應(yīng)的處理單元類型以及每類處理單元的數(shù)量,確定處理組合;根據(jù)處理組合的數(shù)量,確定每批待處理晶圓對應(yīng)的待檢測晶圓數(shù)量;將待處理晶圓按批次依次輸送進(jìn)涂膠顯影機(jī)進(jìn)行處理;獲取每一批次晶圓對應(yīng)的記錄表;根據(jù)記錄表和每批待處理晶圓對應(yīng)的待檢測晶圓數(shù)量,從每一批次晶圓中確定對應(yīng)數(shù)量的經(jīng)過不同處理組合的晶圓作為待檢測晶圓。能夠在對最少的晶圓進(jìn)行檢測的情況下,清楚的獲取每個處理單元的處理效果,避免重復(fù)測量和漏測量,從而提高對處理單元進(jìn)行監(jiān)測的效率,降低漏測量的處理單元對產(chǎn)品的不良影響。

本發(fā)明授權(quán)用于監(jiān)測處理單元性能的檢測晶圓選擇方法和涂膠顯影機(jī)在權(quán)利要求書中公布了:1.一種用于監(jiān)測處理單元性能的檢測晶圓選擇方法,其特征在于,包括: 獲取與待處理晶圓對應(yīng)的處理單元類型以及每類處理單元的數(shù)量,確定處理組合; 根據(jù)所述處理組合的數(shù)量,確定每批待處理晶圓對應(yīng)的待檢測晶圓數(shù)量; 將所述待處理晶圓按批次依次輸送進(jìn)涂膠顯影機(jī)進(jìn)行處理; 獲取每一批次晶圓對應(yīng)的記錄表; 根據(jù)所述記錄表和每批所述待處理晶圓對應(yīng)的待檢測晶圓數(shù)量,從每一批次晶圓中確定對應(yīng)數(shù)量的經(jīng)過不同處理組合的所述晶圓作為所述待檢測晶圓; 所述根據(jù)所述處理組合的數(shù)量,確定每批待處理晶圓對應(yīng)的待檢測晶圓數(shù)量,包括: 將所述處理組合的數(shù)量作為待測量晶圓的總數(shù)量; 根據(jù)所述待處理晶圓的總批次和所述總數(shù)量,確定每批待處理晶圓對應(yīng)的待檢測晶圓數(shù)量; 在所述根據(jù)所述待處理晶圓的總批次和所述總數(shù)量,確定每批待處理晶圓對應(yīng)的待檢測晶圓數(shù)量之前,還包括: 若存在預(yù)設(shè)數(shù)量,則將所述預(yù)設(shè)數(shù)量作為待測量晶圓的總數(shù)量,其中,所述預(yù)設(shè)數(shù)量大于所述處理組合的數(shù)量; 所述根據(jù)所述記錄表和每批所述待處理晶圓對應(yīng)的待檢測晶圓數(shù)量,從每一批次晶圓中確定對應(yīng)數(shù)量的經(jīng)過不同處理組合的所述晶圓作為所述待檢測晶圓,包括: 若不存在所述預(yù)設(shè)數(shù)量,或所述預(yù)設(shè)數(shù)量等于所述處理組合的數(shù)量,則根據(jù)所述記錄表和每批所述待處理晶圓對應(yīng)的待檢測晶圓數(shù)量,依次從每一批中確定對應(yīng)數(shù)量的經(jīng)過不同處理組合的所述晶圓作為所述待檢測晶圓,其中,每一批中的所述待檢測晶圓使用的處理組合唯一; 所述根據(jù)所述記錄表和每批所述待處理晶圓對應(yīng)的待檢測晶圓數(shù)量,從每一批次晶圓中確定對應(yīng)數(shù)量的經(jīng)過不同處理組合的所述晶圓作為所述待檢測晶圓,還包括: 若所述預(yù)設(shè)數(shù)量大于所述處理組合的數(shù)量,則根據(jù)所述記錄表和每批所述待處理晶圓對應(yīng)的待檢測晶圓數(shù)量,依次從每一批中確定對應(yīng)數(shù)量的經(jīng)過不同處理組合的所述晶圓作為所述待檢測晶圓,其中,每一批中的所述待檢測晶圓使用的處理組合不唯一,且各待檢測晶圓使用的處理組合包括所有所述處理組合。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人中國科學(xué)院微電子研究所;真芯(北京)半導(dǎo)體有限責(zé)任公司,其通訊地址為:100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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