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龍圖騰網(wǎng)恭喜美光科技公司申請(qǐng)的專利改進(jìn)的豎直3D存儲(chǔ)器裝置及存取方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115669263B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-20發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202080101330.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B63/00；該發(fā)明授權(quán)改進(jìn)的豎直3D存儲(chǔ)器裝置及存取方法是由C·維拉;S·F·席佩斯;P·凡蒂尼;E·博蘭里那設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-05-25向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本改進(jìn)的豎直3D存儲(chǔ)器裝置及存取方法在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)案涉及一種改進(jìn)的豎直3D存儲(chǔ)器裝置及存取方法。本公開提供一種存儲(chǔ)器裝置及其存取取消選擇方法。所述存儲(chǔ)器裝置包括：存儲(chǔ)器層，其包含形成于其中的存儲(chǔ)器單元的豎直三維3D存儲(chǔ)器陣列，其中存儲(chǔ)器單元經(jīng)由彼此正交的字線及數(shù)字線被存取，且所述數(shù)字線呈豎直延伸的導(dǎo)電支柱的形式；支柱選擇層，其形成于所述存儲(chǔ)器層下方，且其中形成有用于存取存儲(chǔ)器單元的薄膜晶體管TFT；及外圍電路層，其形成于所述支柱選擇層下方，且具有用于字線及位線的感測放大器及解碼電路系統(tǒng)，其中針對(duì)每一支柱配置TFT。

本發(fā)明授權(quán)改進(jìn)的豎直3D存儲(chǔ)器裝置及存取方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種存儲(chǔ)器裝置，其包括： 存儲(chǔ)器層，其包含形成于其中的存儲(chǔ)器單元的豎直三維3D存儲(chǔ)器陣列，其中存儲(chǔ)器單元經(jīng)配置以經(jīng)由彼此正交的字線及數(shù)字線被存取，且所述數(shù)字線是豎直延伸的導(dǎo)電支柱； 支柱選擇層，其中形成有用于存取存儲(chǔ)器單元的多個(gè)薄膜晶體管TFT； 外圍電路層，其形成于所述支柱選擇層下方，且具有用于所述存儲(chǔ)器裝置的多條字線及多條數(shù)字線的感測放大器及解碼電路系統(tǒng)，其中所述多條數(shù)字線中的每一條數(shù)字線都是豎直延伸的不同導(dǎo)電支柱；以及 所述多個(gè)TFT的矩陣，其位于所述多條數(shù)字線的下方和上方，其中多個(gè)導(dǎo)電支柱中的每個(gè)導(dǎo)電支柱與所述多個(gè)TFT中的相應(yīng)TFT相關(guān)聯(lián)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人美光科技公司，其通訊地址為：美國愛達(dá)荷州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。