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龍圖騰網(wǎng)恭喜東海炭素株式會(huì)社申請(qǐng)的專利一種多晶SiC成型體及其制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114514342B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-20發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202080067816.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C16/32；該發(fā)明授權(quán)一種多晶SiC成型體及其制造方法是由牛島裕次;杉原孝臣;奧山圣一設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-09-25向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種多晶SiC成型體及其制造方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種多晶SiC成型體，其電阻率為0.050Ωcm以下，在X射線衍射圖中衍射角2θ為33°～34°范圍內(nèi)的衍射峰強(qiáng)度為“A”，在X射線衍射圖中SiC111面的衍射峰強(qiáng)度為“B”，比率AB為0.018以下。

本發(fā)明授權(quán)一種多晶SiC成型體及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種多晶SiC成型體，其中， 所述多晶SiC成型體利用四點(diǎn)探針法測(cè)定的電阻率為0.050Ωcm以下， 在X射線衍射圖中，衍射角2θ為33°～34°范圍內(nèi)的多晶SiC的層疊缺陷的衍射峰強(qiáng)度為“A”，在X射線衍射圖中，衍射角2θ為35°～36°范圍內(nèi)的SiC111面的衍射峰強(qiáng)度為“B”，比率AB為0.018以下， 其中，比率AB通過如下方式計(jì)算得到：在得到的X射線衍射圖中，將衍射角2θ為32.2°～33.2°范圍的衍射峰強(qiáng)度的平均值作為背景的修正值，通過從將衍射角2θ為33°～34°范圍的衍射峰強(qiáng)度設(shè)為修正前的峰強(qiáng)度“A”，以及將衍射角2θ為35°～36°范圍的衍射峰強(qiáng)度設(shè)為修正前的峰強(qiáng)度“B”，減去各個(gè)背景的修正值，求出峰“A”和峰“B”，并計(jì)算得到峰強(qiáng)度比率AB， 其中，所述多晶SiC成型體通過將多晶SiC膜從石墨基板分離并加工得到，并且 所述多晶SiC成型體具有300μm至1000μm的厚度和按質(zhì)量百萬(wàn)分比計(jì)200ppm～1000ppm的氮含量。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人東海炭素株式會(huì)社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。