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龍圖騰網恭喜深圳市明微電子股份有限公司申請的專利LDMOS器件以及LED驅動芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113497146B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010255331.5，技術領域涉及：H10D30/65；該發明授權LDMOS器件以及LED驅動芯片是由方紹明;戴文芳;李照華設計研發完成，并于2020-04-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本LDMOS器件以及LED驅動芯片在說明書摘要公布了：一種LDMOS器件以及LED驅動芯片，其中，LDMOS器件通過將場氧化層布置于漂移區的上表面，且將電阻條布置于場氧化層的上表面，電阻條與漂移區互不接觸，并將電阻條的第一端和漏電極連接且電阻條的第二端靠近LDMOS器件的源極，從而實現了在LDMOS器件集成電阻條的同時，避免了電阻條對漂移區的影響，保證了漂移區各點的電場分布均勻，避免了LDMOS擊穿電壓的降低，解決了傳統的技術方案中存在的無法提供一種集成漂移區電阻的LDMOS器件問題。LED驅動芯片通過加入恒功率電路和內部集成了電阻的LDMOS器件，在實現對光源的恒功率調節的同時，節省了LED驅動芯片以及其所在的系統的空間。

本發明授權LDMOS器件以及LED驅動芯片在權利要求書中公布了：1.一種LDMOS器件，其特征在于，包括： 半導體襯底，形成在所述半導體襯底上表面的漂移區； 場氧化層，所述場氧化層布置于所述漂移區的上表面；以及 電阻條，所述電阻條布置于所述場氧化層的中間區段的上表面，所述電阻條的第一端與所述LDMOS器件的漏電極連接，所述電阻條的第二端靠近所述LDMOS器件的源極； 還包括： 第一摻雜區，所述第一摻雜區為不同于第一導電類型的第二導電類型，所述第一摻雜區形成于所述漂移區的上表面，且與所述場氧化層相貼； 第二摻雜區，所述第二摻雜區為第一導電類型，所述第二摻雜區與所述第一摻雜區間隔地形成于所述漂移區的上表面，且與所述場氧化層錯位相對；所述第二摻雜區與所述場氧化層相鄰設置且位于場氧化層的下方，所述第二摻雜區的上表面與所述第一摻雜區的上表面位于同一平面上； 所述電阻條的第一端布置于所述第一摻雜區與所述第二摻雜區之間的區域上方。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳市明微電子股份有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市南山區高新技術產業園南區高新南一道015號國微研發大廈三層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。