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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利一種半導(dǎo)體器件及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112530949B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010265065.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B10/00；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件及其制造方法是由陳瑞麟;張朝淵;林祐寬;楊昌達;王屏薇設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-04-07向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種半導(dǎo)體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體器件包括：柵極結(jié)構(gòu)、源極漏極、設(shè)置在柵極結(jié)構(gòu)和源極漏極上方的第一通孔，并且第一金屬線在截面圖中具有比第一通孔更高的垂直位置。第一通孔電連接至柵極結(jié)構(gòu)和源極漏極。第一金屬線和第一通孔均沿第一方向延伸。在不同于第一方向的第二方向上，金屬線與第一通孔分隔開第一距離。第一金屬線包括在第二方向上向外突出的突起部分。本發(fā)明實施例還提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，包括： 柵極結(jié)構(gòu)； 源極漏極； 第一通孔，設(shè)置在所述柵極結(jié)構(gòu)和所述源極漏極上方，其中，所述第一通孔電連接至所述柵極結(jié)構(gòu)和所述源極漏極；和 第一金屬線，在截面圖中具有比所述第一通孔更高的垂直位置； 其中： 所述半導(dǎo)體器件包括根據(jù)5納米技術(shù)節(jié)點或小于5納米技術(shù)節(jié)點的技術(shù)節(jié)點制造的FinFET； 所述第一金屬線和所述第一通孔均沿第一方向延伸； 在不同于所述第一方向的第二方向上，所述第一金屬線與所述第一通孔分隔開第一距離；以及 所述第一金屬線包括在所述第二方向上向外突出的突起部分，其中，所述突起部分沒有與任何通孔物理接觸。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。