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龍圖騰網恭喜英飛凌科技德累斯頓公司申請的專利半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112054023B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010473671.5，技術領域涉及：H10D84/60；該發明授權半導體器件是由F·赫勒;C·法赫曼;W·凱因德爾;H·韋伯設計研發完成，并于2020-05-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體器件，其包括：半導體主體，其包括第一表面和在垂直方向上與第一表面相對的第二表面；以及多個晶體管單元，其至少部分集成在半導體主體中。多個晶體管單元中的每個包括：至少兩個源極區；第一柵電極和第二柵電極，其在第一水平方向上彼此間隔開，第一柵電極和第二柵電極中的每個都與連續主體區相鄰布置，并且與連續主體區介電絕緣；漂移區，其通過主體區與至少兩個源極區分隔開；以及至少三個接觸插塞，其在垂直方向上從主體區朝向源電極延伸，其中，至少三個接觸插塞被相繼布置在第一柵電極和第二柵電極之間，并且其中，僅分別最靠近第一柵電極和第二柵電極布置的兩個最外接觸插塞直接鄰接源極區的至少一個。

本發明授權半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括： 半導體主體100，所述半導體主體100包括第一表面101和在垂直方向y上與所述第一表面101相對的第二表面102； 多個晶體管單元30，所述多個晶體管單元30至少部分集成在所述半導體主體100中，所述多個晶體管單元30中的每個包括： 至少兩個源極區311、312， 第一柵電極331和第二柵電極332，所述第一柵電極331和所述第二柵電極332在第一水平方向x上彼此間隔開，所述第一柵電極331和所述第二柵電極332中的每個與連續主體區32相鄰布置，并且與所述連續主體區32介電絕緣， 漂移區35，所述漂移區35通過所述主體區32與所述至少兩個源極區311、312分隔開，以及 至少三個接觸插塞421、422、423，所述至少三個接觸插塞421、422、423在所述垂直方向y上從所述主體區32朝向源電極41延伸，其中，所述至少三個接觸插塞421、422、423相繼布置在所述第一柵電極331和所述第二柵電極332之間，并且其中，僅分別最靠近所述第一柵電極331和所述第二柵電極332布置的兩個最外接觸插塞421、423直接鄰接所述源極區311、312中的至少一個， 其中，所述至少三個接觸插塞421、422、423中的每個是細長接觸插塞，并且所述接觸插塞421、422、423中的至少一個在第二水平方向z上被分成至少兩個獨立區段。

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