恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司張雅嵐獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體器件和方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113451209B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010941168.8，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權半導體器件和方法是由張雅嵐;陳亭綱;黃泰鈞;徐志安;盧永誠設計研發完成，并于2020-09-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件和方法在說明書摘要公布了：本公開涉及半導體器件和方法。實施例包括一種方法，該方法包括：在半導體器件的金屬柵極結構的切割金屬柵極區域中形成開口；在開口中共形地沉積第一電介質層；在第一電介質層之上共形地沉積硅層；對硅層執行氧化工藝以形成第一氧化硅層；用第二氧化硅層填充開口；對第二氧化硅層和第一電介質層執行化學機械拋光，以形成切割金屬柵極插塞，化學機械拋光暴露出半導體器件的金屬柵極結構；以及形成到金屬柵極結構的第一部分的第一接觸件和到金屬柵極結構的第二部分的第二接觸件，金屬柵極結構的第一部分和第二部分被切割金屬柵極插塞分離。
本發明授權半導體器件和方法在權利要求書中公布了：1.一種用于形成半導體器件的方法，包括： 在半導體器件的金屬柵極結構的切割金屬柵極區域中形成開口； 在所述開口中共形地沉積第一電介質層； 在所述第一電介質層之上共形地沉積硅層； 對所述硅層執行氧化工藝以形成第一氧化硅層； 用第二氧化硅層填充所述開口；以及 對所述第二氧化硅層和所述第一電介質層執行化學機械拋光，以形成切割金屬柵極插塞，所述化學機械拋光暴露出所述半導體器件的金屬柵極結構， 其中，對所述硅層執行氧化工藝將所述硅層的全部轉換為所述第一氧化硅層，并且其中，所述第二氧化硅層被直接地形成在所述第一氧化硅層上。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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